Как сделать составной транзистор кт825
Транзисторы серии КТ825, 2Т825
По своим техническим характеристикам транзисторы серии КТ825 подходят для использования в различных усилительных и коммутационных схемах. Встречаются в старых стабилизаторах напряжения, безконактных системах зажигания и управления двигателями. Кремниевые, изготавливаются по мезапланарной технологии и имеют p-n-p-структуру. Являются составными, т.е. сделанными по схеме Дарлингтона, имеющими большой статический коэффициент усиления по току (H21э до 25000) и способность прогонять через себя большие напряжения и токи. Основные свойства этого популярного полупроводникового прибора, разработанного еще в советские времена, примерно в конце 80-х, приведены в данной статье.
Цоколевка
Оба корпуса имеют три жестких вывода со следующим назначением: эмиттер (Э), база (Б), коллектор (К). Конструктивно контакт «К» в таком исполнении физически соединен с металлической частью, которой транзистор крепится на радиатор.
Существуют и бескорпусные версии этого транзистора. Они выпускаются в виде кристаллов неразделенных на пластине с контактными площадками для монтажа внутри гибридных интегральных микросхем. Масса кристалла без герметичной упаковки и выводов не превышает 0,025 гр. Такие устройства представлены у производителей с маркировкой на этикетке — 2Т825A-5.
Технические характеристики
Разброс величин предельно допустимых режимов эксплуатации у КТ825 достаточно широк. Например, максимальное напряжение между выводами К и Э находится в диапазоне от 30 до 100 В. Также эта серия, вместе с большими коэффициентами усиления, славится высокой мощностью и пропускаемым током. Рассмотрим значения этих параметров подробнее:
Для КТ825 в пластиковом корпусе, при ТК от +25 до + 100 °C, максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора снижается линейно на 0.25 Вт/°С с теплоотводом и на 8 мВт/°С без него.
Электрические параметры
Комплементарная пара
Комплементарной парой, для рассматриваемой серии, является отечественный составной транзистор с n-p-n-структурой — КТ827.
Аналоги
Найти полноценный аналог для КТ825 достаточно проблематично. Все зависит от схемы и назначения конкретного транзистора в ней. Чаще всего на интернет-форумах рекомендуют в качестве замены TIP142, TIP147 от Texas Instruments в более современном корпусе TO-247. Также, в качестве замены, можно рассмотреть следующие зарубежные транзисторы: MJ11015, 2N6052G. Иногда, не найдя подходящего среди указанных, некоторые радиолюбители прибегают к несложной схеме с КТ818 и КТ814. Она представлена в следующем видеоролике на эту тему.
Меры безопасности
Пайка выводов возможна на расстоянии не ближе 5 мм от корпуса, при температуре припоя не более +260 °C. При этом время лужения контактов не должно превышать 2 сек. В случае подключения устройства в цепь под напряжением, необходимо вывод базы подключать в первую очередь, а отключать в последнюю.
Допустимое значение статического потенциала до 1000 В. Для устройств в пластмассовом ТО-220 допускается только одноразовый изгиб выводов на угол не более 90 o и не ближе 5 мм от корпуса, с радиусом изгиба до 1.5 мм.
Содержание драгметаллов
В соответствии с данными справочника «Опознавательно-информационная система классификации лома электронных изделий», ИПК «Платина», 1999 г., г. Красноярск, в транзисторах серии КТ825 содержание драгметаллов следующие: до 0.01 гр. золота, 0.095 гр. серебра.
Производители
В настоящее время выпуском и модернизацией серии КТ825 занимается только одно российское предприятие. Это известная отечественная компания АО «Кремний» г. Брянск. Скачать техническое описание на изделие от указанного производителя, можно по этой ссылке.
Транзистор КТ825, kt825 характеристики (datasheet)
Кремниевый составной транзистор КТ825 (p-n-p)
Кремниевые меза-планарные p-n-p составные транзисторы типов 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В в металло-стеклянном корпусе КТ-9 ГОСТ 18472-88 предназначенные для работы в линейных и ключевых схемах.
Сведения о приемке: Транзисторы типов 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В соответствуют техническим условиям аА0.339.054 ТУ.
Основные технические характеристики транзисторов КТ825:
Прибор | Предельные параметры | Параметры при T = 25°C | RТ п-к, °C/Вт | ||||||||||||||||||
при T = 25°C | |||||||||||||||||||||
IК, max, А | IК и, max, А | UКЭ0 гр, В | UКБ0 max, В | UЭБ0 max, В | PК max, Вт | при TК, °C | Tп max, °C | TК max, °C | h21Э | UКБ,В | IЭ, А | UКЭ нас, В | IКБ0, мА | fгр, МГц | Кш, дБ | CК, пФ | CЭ, пФ | tвкл, мкс | tвыкл, мкс | ||
КТ825Г | 20 | 30 | 70 | 5 | 125 | 25 | 150 | 100 | 750 | 10 | 10 | 2 | 4 | 600 | 600 | 1 | 4,5 | 1 | |||
КТ825Д | 20 | 30 | 45 | 5 | 125 | 25 | 150 | 100 | 750 | 10 | 10 | 2 | 4 | 600 | 600 | 1 | 4,5 | 1 | |||
КТ825Е | 20 | 30 | 25 | 5 | 125 | 25 | 150 | 100 | 750 | 10 | 10 | 2 | 4 | 600 | 600 | 1 | 4,5 | 1 | |||
2Т825А | 20 | 40 | 80 | 5 | 160 | 25 | 175 | 125 | 500. 18000 | 10 | 10 | 2 | 4 | 600 | 600 | 1 | 4,5 | 1,2 | |||
2Т825Б | 20 | 40 | 60 | 5 | 160 | 25 | 175 | 125 | 750. 18000 | 10 | 10 | 2 | 4 | 600 | 600 | 1 | 4,5 | 1,2 | |||
2Т825В | 20 | 40 | 45 | 5 | 160 | 25 | 175 | 125 | 750. 18000 | 10 | 10 | 2 | 4 | 600 | 600 | 1 | 4,5 | 1,2 | |||
2Т825А2 | 15 | 40 | 80 | 100 | 5 | 30 | 25 | 150 | 100 | 500. 18000 | 10 | 10 | 2 | 4 | 250 | 400 | 4,17 | ||||
2Т825Б2 | 15 | 40 | 60 | 80 | 5 | 30 | 25 | 150 | 100 | 750. 18000 | 10 | 10 | 2 | 4 | 250 | 400 | 4,17 | ||||
2Т825В2 | 15 | 40 | 45 | 60 | 5 | 30 | 25 | 150 | 100 | 750. 18000 | 10 | 10 | 2 | 4 | 250 | 400 | 4,17 |
КТ825 эквивалентная схема составного танзистора:
Импульсный стабилизатор напряжения на КТ825
Благодаря высокому КПД импульсные стабилизаторы напряжения получают в последнее время все более широкое распространение, хотя они, как правило, сложнее традиционных и содержат большее число элементов. Приведенный ниже стабилизатор можно использовать для питания маломощных устройств с током потребления до 1А, для и кт827 транзисторах его явно будет недостаточно. Несложный импульсный стабилизатор (рис. 5.6) с выходным напряжением, меньшим входного, можно собрать всего на трех транзисторах, два из которых (VT1, VT2) образуют ключевой регулирующий элемент, а третий (VT3) является усилителем сигнала рассогласования.
Устройство работает в автоколебательном режиме. Напряжение положительной обратной связи с коллектора транзистора VT2 (он составной) через конденсатор С2 поступает в цепь базы транзистора VT1. Транзистор VT2 периодически открывается до насыщения током, протекающим через резистор R2. Так как коэффициент передачи тока базы этого транзистора очень большой, то он насыщается при относительно небольшом базовом токе. Это позволяет выбрать сопротивление резистора R2 довольно большим и, следовательно, увеличить коэффициент передачи регулирующего элемента.
Напряжение между коллектором и эмиттером насыщенной) транзистора VT1 меньше, чем напряжение открывания транзистора VT2 (в составном транзисторе, как известно, между выводами базы и эмиттера включено последовательно два р-n перехода), поэтому, когда транзистор VT1 открыт, VT2 надежно закрыт.
Элементом сравнения и усилителем сигнала рассогласования является каскад на транзисторе VT3. Его эмиттер подключен к источнику образцового напряжения — стабилитрону VD2, а база — к делителю выходного напряжения R5. R7.
В импульсных стабилизаторах регулирующий элемент работает в ключевом режиме, поэтому выхбдное напряжение регулируется изменением скважности работы ключа. В рассматриваемом устройстве открыванием и закрыванием транзистора VT2 по сигналу транзистора VT3 управляет транзистор VT1. В моменты, когда транзистор VT2 открыт, в дросселе L1, благодаря протеканию тока нагрузки, запасается электромагнитная энергия. После закрывания транзистора запасенная энергия через диод VD1 отдается в нагрузку.
Несмотря на простоту, стабилизатор обладает довольно высоким КПД. Так, при входном напряжении 24 В, выходном 15 В и токе нагрузки 1 А измеренное значение КПД было равно 84%.
Дроссель L1 намотан на кольце К26х16х12’из феррита с магнитной проницаемостью 100 проводом диаметром 0,63 мм и содержит 100 витков. Индуктивность дросселя при токе подмагничивания 1 А около 1 мГн. Характеристики стабилизатора во многом определяются параметрами транзистора VT2 и диода VD1, быстродействие которых должно быть максимально возможным. В стабилизаторе можно применить транзисторы КТ825Г (VT2), КТ313Б, КТ3107Б (VT1), КТ315Б, (VT3), диод КД213 (VD1) и стабилитрон КС168А (VD2).
Транзистор КТ825Г
Транзистор КТ825Г
Справочник содержания драгоценных металлов в радиодеталях основанный на справочных данных различных организаций занимающихся переработкой лома радиодеталей, паспортах устройств, формулярах и других открытых источников. Стоит отметить, что реальное содержание может отличатся на 20-30% в меньшую сторону.
Радиодетали могут содержать золото, серебро, платину и МПГ (Металлы платиновой группы, Платиновая группа, Платиновые металлы, Платиноиды, ЭПГ)
Содержание драгоценных металлов в транзисторе: КТ825Г
Золото: 0.01
Серебро: 0.0474
Платина: 0
МПГ: 0
По данным: Справочник по драгоценным металлам ПРИКАЗ №70
Транзистор, полупроводниковый триод — радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, способный от небольшого входного сигнала управлять значительным током в выходной цепи, что позволяет его использовать для усиления, генерирования, коммутации и преобразования электрических сигналов. В настоящее время транзистор является основой схемотехники подавляющего большинства электронных устройств и интегральных микросхем.
Типы транзисторов
Существует два основных типа транзисторов: биполярные и полевые.
1. Биполярные транзисторы. Они являются, вероятно, более распространенным типом (именно о них, например, шла речь в предыдущих разделах этой главы). В базу такого транзистора подается небольшой ток, а он, в свою очередь, управляет количеством тока, протекающего между коллектором и эмиттером.
2. Полевые транзисторы. Имеют три вывода, но они называются затвор (вместо базы у биполярного), сток (вместо коллектора) и исток (вместо эмиттера). Аналогично воздействие на затвор транзистора (но на этот раз не тока, а напряжения) управляет током между стоком и истоком. Полевые транзисторы также имеют разную полярность: они бывают N-канальные (аналог NPN-биполярного транзистора) и Р-канальные (аналог PNP).
Маркировка транзисторов СССР
Обозначение транзисторов до 1964 года
Первый элемент обозначения – буква П, означающая, что данная деталь и является, собственно, транзистором. Биполярные транзисторы в герметичном корпусе обозначались двумя буквами – МП, буква М означала модернизацию. Второй элемент обозначения – одно, двух или трехзначное число, которое определяет порядковый номер разработки и подкласс транзистора, по роду полупроводникового материала, значениям допустимой рассеиваемой мощности и граничной(или предельной) частоты.
От 1 до 99 – германиевые маломощные низкочастотные транзисторы.
От 101 до 199 – кремниевые маломощные низкочастотные транзисторы.
От 201 до 299 – германиевые мощные низкочастотные транзисторы.
От 301 до 399 – кремниевые мощные низкочастотные транзисторы.
От 401 до 499 – германиевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы.
От 501 до 599 – кремниевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы.
От 601 до 699 – германиевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы.
От 701 до 799 – кремниевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы.
Обозначение транзисторов после 1964 года
Первый символ необходим для обозначения типа используемого материала
Буква Г или цифра 1 – германий.
Буква К или цифра 2 – кремний.
Буква А или цифра 3 – арсенид галлия.
Второй символ обозначает тип транзистора
П – полевой транзистор
Т – биполярный транзистор
Третий символ необходим для обозначения мощности и граничной частоты
1 – транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) низкочастотные(до 3 МГц).
2 – транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) средней частоты(до 30 МГц).
3 – транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) высокочастотные.
4 – транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт), низкочастотные(до 3 МГц).
5 – транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт),средней частоты(до 30 МГц).
6 – транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт),высокочастотные и СВЧ.
7 – транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), низкочастотные(до 3 МГц).
8 – транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), средней частоты(до 30 МГц).
9 – транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), высокочастотные и СВЧ.
Четвертый и пятый элементы обозначения – определяют порядковый номер разработки.
Изменения в маркировке вступившие в силу в 1978 году. Изменения коснулись обозначения функциональных возможностей – третьего элемента.
Для биполярных транзисторов:
1 – транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой до 30 МГц.
2 – транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой до 300 МГц.
4 – транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой более 300 МГц.
7 – транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой до 30 МГц.
8 – транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой до 300 МГц.
9 – транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой свыше 300 МГц.
СПРАВОЧНИК ПО ОТЕЧЕСТВЕННЫМ ТРАНЗИСТОРАМ КТ8хх
СПРАВОЧНИК ПО ОТЕЧЕСТВЕННЫМ ТРАНЗИСТОРАМ СЕРИИ 8хх
Тип | B1-B2/Iк /мА | Fт МГц | Cк/Uк пф/В | Uкэ/(Iк/Iб) В/(мА/мА) | Iкм/Iкн мА/мА | Pк стр-ра мВт |
КТ801А КТ801Б КТ802А КТ803А ГТ804А ГТ804Б ГТ804В КТ805А КТ805Б КТ805АМ КТ805БМ КТ805ВМ ГТ806А ГТ806Б ГТ806В ГТ806Г ГТ806Д КТ807А КТ807Б КТ807АМ КТ807БМ КТ808А КТ808АМ КТ808БМ КТ808ВМ КТ808ГМ КТ809А ГТ810А КТ812А КТ812Б КТ812В 1Т813А 1Т813Б 1Т813В КТ814А КТ814Б КТ814В КТ814Г КТ815А КТ815Б КТ815В КТ815Г КТ816А КТ816Б КТ816В КТ816Г КТ817А КТ817Б КТ817В КТ817Г КТ818А КТ818Б КТ818В КТ818Г КТ818АМ КТ818БМ КТ818ВМ КТ818ГМ КТ819А КТ819Б КТ819В КТ819Г КТ819АМ КТ819БМ КТ819ВМ КТ819ГМ КТ820А1 КТ820Б1 КТ820В1 КТ821А1 КТ821Б1 КТ821В1 КТ822А1 КТ822Б1 КТ822В1 КТ823А1 КТ823Б1 КТ823В1 КТ824А КТ824Б КТ824АМ КТ824БМ КТ825А КТ825Б КТ825В КТ825Г КТ825Д КТ825Е КТ825А2 КТ825Б2 КТ825В2 2Т826А 2Т826Б 2Т826В КТ827А КТ827Б КТ827В КТ828А КТ828Б КТ829А КТ829Б КТ829В КТ829Г 2Т830А 2Т830Б 2Т830В 2Т830Г 2Т831А 2Т861А 2Т891А КТ8121А | 13- 50/1 20-100/1 15- 35/2 10- 70/5 20-150/ 20-150/ 20-150/ 15- 35/2 15- 35/2 15- 35/2 15- 35/2 15- 35/2 10-100/10 10-100/10 10-100/10 10-100/10 10-100/10 15- 45/0.5 30-100/0.5 15- 45/0.5 30-100/0.5 10- 50/6 20-125/6 20-125/6 20-125/6 20-125/6 15-100/2 15- /5 5- /8 5- /8 5- /8 10- 60/20 10- 60/20 10- 60/20 40- /0.15 40- /0.15 40- /0.15 30- /0.15 40- /0.15 40- /0.15 40- /0.15 30- /0.15 20- /2 20- /2 20- /2 15- /2 20- /1 20- /1 20- /1 10- /1 15- /5 20- /5 15- /5 12- /5 15- /5 20- /5 15- /5 12- /5 15- /5 20- /5 15- /5 12- /5 15- /5 20- /5 15- /5 12- /5 40- /0.15 40- /0.15 30- /0.15 40- /0.15 40- /0.15 30- /0.15 25- /1 25- /1 25- /1 25- /1 25- /1 25- /1 5- /8 5- /8 5- /8 5- /8 430-60000/10 430-60000/10 430-60000/10 750- /5 750- /5 750- /5 500-18000/10 750-18000/10 750-18000/10 10-200/0.1 10-120/0.1 10-120/0.1 750-18000/10 750-18000/10 750-18000/10 2.25- /4.5 2.25- /4.5 750- /3 750- /3 750- /3 750- /3 25- /1 25- /1 25- /1 20- /1 25- /1 8-25 /15 40-160/1 20- /5
|