Как сделать составной транзистор кт825

Транзисторы серии КТ825, 2Т825

По своим техническим характеристикам транзисторы серии КТ825 подходят для использования в различных усилительных и коммутационных схемах. Встречаются в старых стабилизаторах напряжения, безконактных системах зажигания и управления двигателями. Кремниевые, изготавливаются по мезапланарной технологии и имеют p-n-p-структуру. Являются составными, т.е. сделанными по схеме Дарлингтона, имеющими большой статический коэффициент усиления по току (H21э до 25000) и способность прогонять через себя большие напряжения и токи. Основные свойства этого популярного полупроводникового прибора, разработанного еще в советские времена, примерно в конце 80-х, приведены в данной статье.

Цоколевка

Оба корпуса имеют три жестких вывода со следующим назначением: эмиттер (Э), база (Б), коллектор (К). Конструктивно контакт «К» в таком исполнении физически соединен с металлической частью, которой транзистор крепится на радиатор.

Существуют и бескорпусные версии этого транзистора. Они выпускаются в виде кристаллов неразделенных на пластине с контактными площадками для монтажа внутри гибридных интегральных микросхем. Масса кристалла без герметичной упаковки и выводов не превышает 0,025 гр. Такие устройства представлены у производителей с маркировкой на этикетке — 2Т825A-5.

Технические характеристики

Разброс величин предельно допустимых режимов эксплуатации у КТ825 достаточно широк. Например, максимальное напряжение между выводами К и Э находится в диапазоне от 30 до 100 В. Также эта серия, вместе с большими коэффициентами усиления, славится высокой мощностью и пропускаемым током. Рассмотрим значения этих параметров подробнее:

Для КТ825 в пластиковом корпусе, при ТК от +25 до + 100 °C, максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора снижается линейно на 0.25 Вт/°С с теплоотводом и на 8 мВт/°С без него.

Электрические параметры

Комплементарная пара

Комплементарной парой, для рассматриваемой серии, является отечественный составной транзистор с n-p-n-структурой — КТ827.

Аналоги

Найти полноценный аналог для КТ825 достаточно проблематично. Все зависит от схемы и назначения конкретного транзистора в ней. Чаще всего на интернет-форумах рекомендуют в качестве замены TIP142, TIP147 от Texas Instruments в более современном корпусе TO-247. Также, в качестве замены, можно рассмотреть следующие зарубежные транзисторы: MJ11015, 2N6052G. Иногда, не найдя подходящего среди указанных, некоторые радиолюбители прибегают к несложной схеме с КТ818 и КТ814. Она представлена в следующем видеоролике на эту тему.

Меры безопасности

Пайка выводов возможна на расстоянии не ближе 5 мм от корпуса, при температуре припоя не более +260 °C. При этом время лужения контактов не должно превышать 2 сек. В случае подключения устройства в цепь под напряжением, необходимо вывод базы подключать в первую очередь, а отключать в последнюю.

Допустимое значение статического потенциала до 1000 В. Для устройств в пластмассовом ТО-220 допускается только одноразовый изгиб выводов на угол не более 90 o и не ближе 5 мм от корпуса, с радиусом изгиба до 1.5 мм.

Содержание драгметаллов

В соответствии с данными справочника «Опознавательно-информационная система классификации лома электронных изделий», ИПК «Платина», 1999 г., г. Красноярск, в транзисторах серии КТ825 содержание драгметаллов следующие: до 0.01 гр. золота, 0.095 гр. серебра.

Производители

В настоящее время выпуском и модернизацией серии КТ825 занимается только одно российское предприятие. Это известная отечественная компания АО «Кремний» г. Брянск. Скачать техническое описание на изделие от указанного производителя, можно по этой ссылке.

Источник

Транзистор КТ825, kt825 характеристики (datasheet)

Как сделать составной транзистор кт825Кремниевый составной транзистор КТ825 (p-n-p)

Как сделать составной транзистор кт825

Кремниевые меза-планарные p-n-p составные транзисторы типов 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В в металло-стеклянном корпусе КТ-9 ГОСТ 18472-88 предназначенные для работы в линейных и ключевых схемах.

Как сделать составной транзистор кт825

Сведения о приемке: Транзисторы типов 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В соответствуют техническим условиям аА0.339.054 ТУ.

Основные технические характеристики транзисторов КТ825:

ПриборПредельные параметрыПараметры при T = 25°CRТ п-к, °C/Вт
при T = 25°C
IК, max, АIК и, max, АUКЭ0 гр, ВUКБ0 max, ВUЭБ0 max, ВPК max, Втпри TК, °CTп max, °CTК max, °Ch21ЭUКБIЭ, АUКЭ нас, ВIКБ0, мАfгр, МГцКш, дБCК, пФCЭ, пФtвкл, мксtвыкл, мкс
КТ825Г20307051252515010075010102460060014,51
КТ825Д20304551252515010075010102460060014,51
КТ825Е20302551252515010075010102460060014,51
2Т825А204080516025175125500. 1800010102460060014,51,2
2Т825Б204060516025175125750. 1800010102460060014,51,2
2Т825В204045516025175125750. 1800010102460060014,51,2
2Т825А215408010053025150100500. 180001010242504004,17
2Т825Б21540608053025150100750. 180001010242504004,17
2Т825В21540456053025150100750. 180001010242504004,17

КТ825 эквивалентная схема составного танзистора:

Источник

Импульсный стабилизатор напряжения на КТ825

Благодаря высокому КПД импульсные стабилизаторы напряжения получают в последнее время все более широкое распространение, хотя они, как правило, сложнее традиционных и содержат большее число элементов. Приведенный ниже стабилизатор можно использовать для питания маломощных устройств с током потребления до 1А, для и кт827 транзисторах его явно будет недостаточно. Несложный импульсный стабилизатор (рис. 5.6) с выходным напряжением, меньшим входного, можно собрать всего на трех транзисторах, два из которых (VT1, VT2) образуют ключевой регулирующий элемент, а третий (VT3) является усилителем сигнала рассогласования.

Устройство работает в автоколебательном режиме. Напряжение положительной обратной связи с коллектора транзистора VT2 (он составной) через конденсатор С2 поступает в цепь базы транзистора VT1. Транзистор VT2 периодически открывается до насыщения током, протекающим через резистор R2. Так как коэффициент передачи тока базы этого транзистора очень большой, то он насыщается при относительно небольшом базовом токе. Это позволяет выбрать сопротивление резистора R2 довольно большим и, следовательно, увеличить коэффициент передачи регулирующего элемента.

Напряжение между коллектором и эмиттером насыщенной) транзистора VT1 меньше, чем напряжение открывания транзистора VT2 (в составном транзисторе, как известно, между выводами базы и эмиттера включено последовательно два р-n перехода), поэтому, когда транзистор VT1 открыт, VT2 надежно закрыт.

Как сделать составной транзистор кт825

Элементом сравнения и усилителем сигнала рассогласования является каскад на транзисторе VT3. Его эмиттер подключен к источнику образцового напряжения — стабилитрону VD2, а база — к делителю выходного напряжения R5. R7.

В импульсных стабилизаторах регулирующий элемент работает в ключевом режиме, поэтому выхбдное напряжение регулируется изменением скважности работы ключа. В рассматриваемом устройстве открыванием и закрыванием транзистора VT2 по сигналу транзистора VT3 управляет транзистор VT1. В моменты, когда транзистор VT2 открыт, в дросселе L1, благодаря протеканию тока нагрузки, запасается электромагнитная энергия. После закрывания транзистора запасенная энергия через диод VD1 отдается в нагрузку.

Несмотря на простоту, стабилизатор обладает довольно высоким КПД. Так, при входном напряжении 24 В, выходном 15 В и токе нагрузки 1 А измеренное значение КПД было равно 84%.

Дроссель L1 намотан на кольце К26х16х12’из феррита с магнитной проницаемостью 100 проводом диаметром 0,63 мм и содержит 100 витков. Индуктивность дросселя при токе подмагничивания 1 А около 1 мГн. Характеристики стабилизатора во многом определяются параметрами транзистора VT2 и диода VD1, быстродействие которых должно быть максимально возможным. В стабилизаторе можно применить транзисторы КТ825Г (VT2), КТ313Б, КТ3107Б (VT1), КТ315Б, (VT3), диод КД213 (VD1) и стабилитрон КС168А (VD2).

Источник

Транзистор КТ825Г

Транзистор КТ825Г
Справочник содержания драгоценных металлов в радиодеталях основанный на справочных данных различных организаций занимающихся переработкой лома радиодеталей, паспортах устройств, формулярах и других открытых источников. Стоит отметить, что реальное содержание может отличатся на 20-30% в меньшую сторону.

Радиодетали могут содержать золото, серебро, платину и МПГ (Металлы платиновой группы, Платиновая группа, Платиновые металлы, Платиноиды, ЭПГ)

Содержание драгоценных металлов в транзисторе: КТ825Г

Золото: 0.01
Серебро: 0.0474
Платина: 0
МПГ: 0
По данным: Справочник по драгоценным металлам ПРИКАЗ №70

Транзистор, полупроводниковый триод — радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, способный от небольшого входного сигнала управлять значительным током в выходной цепи, что позволяет его использовать для усиления, генерирования, коммутации и преобразования электрических сигналов. В настоящее время транзистор является основой схемотехники подавляющего большинства электронных устройств и интегральных микросхем.

Типы транзисторов

Существует два основных типа транзисторов: биполярные и полевые.

1. Биполярные транзисторы. Они являются, вероятно, более распространенным типом (именно о них, например, шла речь в предыдущих разделах этой главы). В базу такого транзистора подается небольшой ток, а он, в свою очередь, управляет количеством тока, протекающего между коллектором и эмиттером.
2. Полевые транзисторы. Имеют три вывода, но они называются затвор (вместо базы у биполярного), сток (вместо коллектора) и исток (вместо эмиттера). Аналогично воздействие на затвор транзистора (но на этот раз не тока, а напряжения) управляет током между стоком и истоком. Полевые транзисторы также имеют разную полярность: они бывают N-канальные (аналог NPN-биполярного транзистора) и Р-канальные (аналог PNP).

Маркировка транзисторов СССР

Обозначение транзисторов до 1964 года
Первый элемент обозначения – буква П, означающая, что данная деталь и является, собственно, транзистором. Биполярные транзисторы в герметичном корпусе обозначались двумя буквами – МП, буква М означала модернизацию. Второй элемент обозначения – одно, двух или трехзначное число, которое определяет порядковый номер разработки и подкласс транзистора, по роду полупроводникового материала, значениям допустимой рассеиваемой мощности и граничной(или предельной) частоты.
От 1 до 99 – германиевые маломощные низкочастотные транзисторы.
От 101 до 199 – кремниевые маломощные низкочастотные транзисторы.
От 201 до 299 – германиевые мощные низкочастотные транзисторы.
От 301 до 399 – кремниевые мощные низкочастотные транзисторы.
От 401 до 499 – германиевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы.
От 501 до 599 – кремниевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы.
От 601 до 699 – германиевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы.
От 701 до 799 – кремниевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы.

Обозначение транзисторов после 1964 года

Первый символ необходим для обозначения типа используемого материала
Буква Г или цифра 1 – германий.
Буква К или цифра 2 – кремний.
Буква А или цифра 3 – арсенид галлия.

Второй символ обозначает тип транзистора
П – полевой транзистор
Т – биполярный транзистор

Третий символ необходим для обозначения мощности и граничной частоты
1 – транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) низкочастотные(до 3 МГц).
2 – транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) средней частоты(до 30 МГц).
3 – транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) высокочастотные.
4 – транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт), низкочастотные(до 3 МГц).
5 – транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт),средней частоты(до 30 МГц).
6 – транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт),высокочастотные и СВЧ.
7 – транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), низкочастотные(до 3 МГц).
8 – транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), средней частоты(до 30 МГц).
9 – транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), высокочастотные и СВЧ.

Четвертый и пятый элементы обозначения – определяют порядковый номер разработки.

Изменения в маркировке вступившие в силу в 1978 году. Изменения коснулись обозначения функциональных возможностей – третьего элемента.

Для биполярных транзисторов:
1 – транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой до 30 МГц.
2 – транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой до 300 МГц.
4 – транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой более 300 МГц.
7 – транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой до 30 МГц.
8 – транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой до 300 МГц.
9 – транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой свыше 300 МГц.

Источник

СПРАВОЧНИК ПО ОТЕЧЕСТВЕННЫМ ТРАНЗИСТОРАМ КТ8хх

СПРАВОЧНИК ПО ОТЕЧЕСТВЕННЫМ ТРАНЗИСТОРАМ СЕРИИ 8хх

ТипB1-B2/Iк
/мА

МГц
Cк/Uк
пф/В
Uкэ/(Iк/Iб)
В/(мА/мА)
Iкм/Iкн
мА/мА
Pк стр-ра
мВт
КТ801А
КТ801Б
КТ802А
КТ803А
ГТ804А
ГТ804Б
ГТ804В
КТ805А
КТ805Б
КТ805АМ
КТ805БМ
КТ805ВМ
ГТ806А
ГТ806Б
ГТ806В
ГТ806Г
ГТ806Д
КТ807А
КТ807Б
КТ807АМ
КТ807БМ
КТ808А
КТ808АМ
КТ808БМ
КТ808ВМ
КТ808ГМ
КТ809А
ГТ810А
КТ812А
КТ812Б
КТ812В
1Т813А
1Т813Б
1Т813В
КТ814А
КТ814Б
КТ814В
КТ814Г
КТ815А
КТ815Б
КТ815В
КТ815Г
КТ816А
КТ816Б
КТ816В
КТ816Г
КТ817А
КТ817Б
КТ817В
КТ817Г
КТ818А
КТ818Б
КТ818В
КТ818Г
КТ818АМ
КТ818БМ
КТ818ВМ
КТ818ГМ
КТ819А
КТ819Б
КТ819В
КТ819Г
КТ819АМ
КТ819БМ
КТ819ВМ
КТ819ГМ
КТ820А1
КТ820Б1
КТ820В1
КТ821А1
КТ821Б1
КТ821В1
КТ822А1
КТ822Б1
КТ822В1
КТ823А1
КТ823Б1
КТ823В1
КТ824А
КТ824Б
КТ824АМ
КТ824БМ
КТ825А
КТ825Б
КТ825В
КТ825Г
КТ825Д
КТ825Е
КТ825А2
КТ825Б2
КТ825В2
2Т826А
2Т826Б
2Т826В
КТ827А
КТ827Б
КТ827В
КТ828А
КТ828Б
КТ829А
КТ829Б
КТ829В
КТ829Г
2Т830А
2Т830Б
2Т830В
2Т830Г

2Т831А
2Т831Б
2Т831В
2Т831Г
2Т832А
2Т832Б
КТ834А
КТ834Б
КТ834В
КТ835А
КТ835Б
2Т836А
2Т836Б
2Т836В
КТ837А
КТ837Б
КТ837В
КТ837Г
КТ837Д
КТ837Е
КТ837Ж
КТ837И
КТ837К
КТ837Л
КТ837М
КТ837Н
КТ837П
КТ837Р
КТ837С
КТ837Т
КТ837У
КТ837Ф
КТ838А
КТ838Б
КТ839А
КТ840А
КТ840Б
КТ840В
КТ840А1
КТ840Б1
КТ840В1
КТ841А
КТ841Б
КТ841В
КТ841Г
КТ841Д
КТ841Е
2Т841А1
2Т841Б1
КТ842А
КТ842Б
КТ842В
2Т842А1
2Т842Б1
2ТС843А
2ТС843А
2Т844А
2Т845А
КТ846А
КТ846Б
КТ846В
КТ847А
КТ847Б
КТ848А
КТ848Б
КТ850А
КТ850Б
КТ850В
КТ851А
КТ851Б
КТ851В
КТ852А
КТ852Б
КТ852В
КТ852Г
КТ853А
КТ853Б
КТ853В
КТ853Г
КТ854А
КТ854Б
КТ855А
КТ855Б
КТ855В
2Т856А
2Т856Б
2Т856В
КТ856А1
КТ856Б1
КТ857А
КТ857Б
КТ858А
КТ858Б
КТ859А
2Т860А
2Т860Б
2Т860В

2Т861А
2Т861Б
2Т861В
2Т862А
2Т862Б
2Т862В
2Т862Г
КТ863А
КТ863Б
КТ864А
КТ865А
2Т866А
2Т867А
КТ868А
КТ868Б
КТ872А
КТ872Б
КТ872В
КТ873А5
2Т874А
2Т874Б
2Т875А
2Т875Б
2Т875В
2Т875Г
2Т876А
2Т876Б
2Т876В
2Т876Г
2Т877А
2Т877Б
2Т877В
КТ878А
КТ878Б
КТ878В
2Т879А
2Т879Б
2Т880А
2Т880Б
2Т880В
2Т880Г
2Т881А
2Т881Б
2Т881В
2Т881Г
2Т882А
2Т882Б
2Т882В
2Т883А
2Т883Б
2Т884А
2Т884Б
КТ885А
КТ885Б
2Т886А
2Т887А
2Т887Б
2Т888А
2Т888Б
КТ890А
КТ890Б
КТ890В
КТ890А1
КТ890Б1

2Т891А
КТ892А
КТ892Б
КТ892В
КТ892А1
КТ892Б1
КТ896А
КТ896Б
КТ897А
КТ897Б
КТ898А
КТ898Б
КТ899А
КТ899Б
КТ8101А
КТ8101Б
КТ8102А
КТ8102Б
КТ8104А
КТ8104А1
КТ8106А
КТ8106Б
КТ8107А
КТ8107Б
КТ8107В
КТ8107Г
КТ8108А
КТ8108Б
КТ8109А
КТ8109Б
КТ8110А
КТ8110Б
КТ8114А
КТ8114Б
КТ8114В
КТ8115А
КТ8115Б
КТ8115В
КТ8116А
КТ8116Б
КТ8116В
КТ8117А
КТ8118А
КТ8118Б
КТ8120А

КТ8121А
КТ8121Б
КТ8123А
КТ8124А
КТ8124Б
КТ8124В
КТ8125А
КТ8125Б
КТ8125В
КТ8126А
КТ8126Б
КТ8130А
КТ8130Б
КТ8130В
КТ8131А
КТ8131Б
КТ8131В
КТ8136А
КТ8137А
КТ8137Б
КТ8138А
КТ8138Б
КТ8138В
КТ8138Г
КТ8138Д
КТ8138Е
КТ8138Ж
КТ8138И
КТ8145А
КТ8149А
КТ8149А1
КТ8149А2
КТ8150А
КТ8150А1
КТ8150А2
КТ8156А
КТ8156Б
КТ8158А
КТ8158Б
КТ8158В
КТ8159А
КТ8159Б
КТ8159В
КТ8164А
КТ8164Б
КТ8170А1
КТ8170Б1
КТ8176А
КТ8176Б
КТ8176В
КТ8177А
КТ8177Б
КТ8177В

13- 50/1
20-100/1
15- 35/2
10- 70/5
20-150/
20-150/
20-150/
15- 35/2
15- 35/2
15- 35/2
15- 35/2
15- 35/2
10-100/10
10-100/10
10-100/10
10-100/10
10-100/10
15- 45/0.5
30-100/0.5
15- 45/0.5
30-100/0.5
10- 50/6
20-125/6
20-125/6
20-125/6
20-125/6
15-100/2
15- /5
5- /8
5- /8
5- /8
10- 60/20
10- 60/20
10- 60/20
40- /0.15
40- /0.15
40- /0.15
30- /0.15
40- /0.15
40- /0.15
40- /0.15
30- /0.15
20- /2
20- /2
20- /2
15- /2
20- /1
20- /1
20- /1
10- /1
15- /5
20- /5
15- /5
12- /5
15- /5
20- /5
15- /5
12- /5
15- /5
20- /5
15- /5
12- /5
15- /5
20- /5
15- /5
12- /5
40- /0.15
40- /0.15
30- /0.15
40- /0.15
40- /0.15
30- /0.15
25- /1
25- /1
25- /1
25- /1
25- /1
25- /1
5- /8
5- /8
5- /8
5- /8
430-60000/10
430-60000/10
430-60000/10
750- /5
750- /5
750- /5
500-18000/10
750-18000/10
750-18000/10
10-200/0.1
10-120/0.1
10-120/0.1
750-18000/10
750-18000/10
750-18000/10
2.25- /4.5
2.25- /4.5
750- /3
750- /3
750- /3
750- /3
25- /1
25- /1
25- /1
20- /1

25- /1
25- /1
25- /1
20- /1
10- /0.01
10- /0.01
150-3000/5
150-3000/5
150-3000/5
25- /1
10-100/2
20- /2
20- /2
20- /2
10-40 /2
20-80 /2
50-150/2
10-40 /2
20-80 /2
50-150/2
10-40 /2
20-80 /2
50-150/2
10-40 /2
20-80 /2
50-150/2
10-40 /2
20-80 /2
50-150/2
10-40 /2
20-80 /2
50-150/2
6- /30
6- /30
5.12.4
10-100/0.6
10-100/0.6
10-100/0.6
10-100/0.6
10-100/0.6
10-100/0.6
12- /5
12- /5
12- /5
20- /5
20- /5
10- /5
10- /5
10- /5
15- /5
15- /5
20- /5
10- /5
10- /5
10-50 /12
10-50 /3
10-50 /6
15-100/2
-35 /
6-35 /

8-25 /15
8-25 /15
20- /15
20- /15
40-200/0.5
20- /0.5
20- /0.5
40-200/0.5
20- /0.5
20- /0.5
500- /2
500- /2
500- /2
500- /2
750- /3
750- /3
750- /3
750- /3
20- /2
20- /2
20- /2
20- /2
15- /2
10- 30/5
10- 60/5
10- 60/5
10- 30/5
10- 60/5
7.5- /3
7.5- /3
10- /5
10- /3
10- /1
40-160/1
50-200/1
80-300/1

40-160/1
50-200/1
80-300/1
10-100/15
10-100/15
12- 50/5
12- 50/5
100- /5
70- /5
40-200/2
40-200/2
15-100/10
12-100/20
10- 60/0.6
10-100/0.6


6- /30
10- /3
15-50 /30
15-50 /30
80-250/5
80-250/5
80-250/5
40-160/5
80-250/5
80-250/5
80-250/5
40-160/5
750- /10
2500- /10
2500- /10
12-50 /10
12-50 /10
12-50 /
20- /20
15- /20
80-250/1
80-250/1
80-250/1
40-160/1
80-250/1
80-250/1
80-250/1
40-160/1
15- /0.5
15- /0.5
15- /0.5
25- /0.5
25- /0.5
25-150/0.3
25-150/0.3
12- /20
12- /20
6- /
20-120/1
20-120/1
30-120/0.02
30-120/0.02

20- /5
300- 6т/5
300- 6т/5
300- /5
300- /5
300- 6т/5
750-18т/5
750-18т/5
400- /5
400- /5
400- /5
400- /5
1000- /
1000- /
20- /2
20- /2
20- /2
20- /2
10000- /
10000- /
750-18т/
750-18т/

Источник

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *