Как разогнать оперативную память ddr3

Как разогнать оперативную память через БИОС?

Оперативная память не менее важна для быстродействия компьютера, чем центральный процессор и видеокарта. И если мы уже разобрались с разгоном процессора, то почему бы нам не раскрыть вопрос, как разогнать оперативную память на компьютере? Думаю, этот вопрос не менее актуален. Однако здравствуйте!

Конечно же, вам нужны будут небольшие познания работы с BIOS, но страшного в этом ничего нет, особенно, если вы уже пробовали разогнать процессор через БИОС. А вот видеокарту разогнать можно и не заходя в БИОС, достаточно воспользоваться бесплатной программой MSI Afterburner, но сегодня не об этом.

Ну что же, думаю самое время приступить к делу. Закатите рукава повыше и подвиньте клавиатуру поближе.

Прежде чем разогнать ОЗУ

По идее, что бы вы ни сделали с вашей оперативной памятью в ходе экспериментирования и разгона, вы не сможете ей никак навредить. Если настройки будут критическими, то компьютер попросту не включится или автоматически сбросит настройки на оптимальные.

Однако не стоит забывать и о том, что любое повышение производительности оперативной памяти снижает срок ее жизни. Да, так и в жизни, бодибилдеры не бывают долгожителями.

Очень важно понимать также, что разгон оперативной памяти компьютера это не просто увеличение ее тактовой частоты! Вам придется провести множественные эксперименты по настройке и тонкой подстройке таких параметров, как тактовая частота, напряжение и тайминги задержки. Если вы увеличиваете частоту, то тайминги придется тоже увеличивать, но ОЗУ, как известно, работает тем быстрее, чем ниже эти тайминги задержки. Палка о двух концах.

Именно поэтому, разгоняя оперативную память, подобрать оптимальные настройки получится далеко не с первого раза. Хотя, если у вас ОЗУ какого-то именитого бренда, то скорее всего данную модель оперативной памяти уже кто-то пробовал разгонять и, вполне вероятно, выложил полезную информацию где-нибудь в интернете на специализированных форумах. Нужно только поискать немного.

Учтите еще, что если даже вы нашли на каком-то форуме оптимальные параметры для разгона именно вашей оперативной памяти, то это совсем не означает, что в вашем случае эти параметры также окажутся оптимальными и максимально производительными. Очень многое зависит от связки ЦП-Мать-ОЗУ. Поэтому, если вы хотите сразу оптимальные параметры для разгона ОЗУ, то вам будет полезно иметь на вооружении некоторую информацию о вашем компьютере. Постарайтесь ответить на вопросы:

Ответив на эти вопросы, смело отправляйтесь на форумы и ищите связки, похожие с вашей. Но опять же повторюсь, лучше всего провести эксперименты и выяснить, какие настройки и параметры будут оптимальными именно для вашей системы.

Разгон оперативной памяти (ОЗУ DDR3, DDR4) через БИОС

В принципе нет никакой принципиальной разницы, хотите вы разогнать оперативную память типа DDR3 или DDR4. Поиск настроек в биосе и последующее тестирование будет выглядеть примерно одинаково. А разгонный потенциал будет больше зависеть от производителя и качества ОЗУ и еще от материнской платы и процессора.

Также хочу отметить, что на большинстве ноутбуков в биосе не предусмотрена возможность изменять параметры оперативной памяти. А ведь весь этот «разгон» по сути, и основывается на подстройке параметров.

Разгон ОЗУ в биосе Award

Прежде чем начать разгон оперативной памяти в биосе Award, нужно нажать комбинацию клавиш Ctrl + F1, чтобы появились расширенные меню настроек. Без этого «трюка» вы нигде не найдете параметры оперативной памяти, которые нам так сильно нужны.

Теперь ищите в меню пункт MB Intelligent Tweaker (M.I.T.). Тут находятся необходимые нам настройки оперативной памяти, а именно System Memory Multiplier. Изменяя частоту этого множителя, вы можете повысить или понизить тактовую частоту вашей оперативной памяти.

Обратите также внимание на то, что если вы хотите разогнать оперативную память, которая работает в связке со стареньким процессором, то у вас, скорее всего, будет общий множитель на ОЗУ и процессор. Таким образом, разгоняя оперативную память, вы будете разгонять и процессор. Обойти эту особенность старых платформ, к сожалению, не получится.

Тут же вы можете увеличить подачу напряжения на ОЗУ. Однако это чревато последствиями, поэтому напряжение нужно трогать, только если вы понимаете, что вы делаете и зачем вы это делаете. В противном случае, лучше оставьте все как есть. А если все же решились, то не понимайте напряжение больше чем на 0,15В.

После того, как вы определились с частотой (так вам пока кажется) и напряжением (если решились) выходим в главное меню и ищем пункт меню Advanced Chipset Features. Тут вы сможете подобрать тайминги задержки. Для этого предварительно нужно изменить значение параметра DRAM Timing Selectable из Auto на Manual, то есть на ручную настройку.

О том, как правильно рассчитать соотношение таймингов и частот будет написано немного ниже. А тут я просто описываю, где в биосе найти нужные нам настройки.

Разгон ОЗУ в биосе UEFI

Биос UEFI является наиболее молодым биосом из всех, а потому и выглядит почти как операционная система. По этой же причине пользоваться им намного удобнее. Он не лишен графики, как его предки и поддерживает разные языки, в том числе русский.

Ныряйте сразу в первую вкладку под аббревиатурным названием M.I.T. и заходите там в «Расширенные настройки частот». Благодаря русскому интерфейсу тут вы точно не запутаетесь. Все аналогично первому варианту – регулируйте множитель памяти.

Потом заходите в «Расширенные настройки памяти». Тут мы управляем напряжением и таймингами. Думаю, все понятно с этим.

Дольше останавливаться на биосах не вижу смысла. Если у вас какой-то другой биос, то либо методом научного тыка найдете необходимый пункт, либо читайте мануалы по вашему биосу.

Правильный разгон оперативной памяти (формула)

Да, конечно же, чтобы подобрать лучшие параметры и повысить производительность ОЗУ и системы в целом, нужно экспериментировать, и каждый раз тестировать систему на производительность и стабильность.

Но скажу вам по секрету, узнать наилучшую производительность можно не только опытным путем, а еще и математическим. Однако тесты на стабильность все равно никто не отменяет.

Итак, как вывести коэффициент эффективности работы ОЗУ? Очень просто. Нужно поделить рабочую частоту памяти на первый тайминг. Например, у вас DDR4 2133 МГц с таймингами 15-15-15-29. Делим 2133 на 15 и получаем некое число 142,2. Чем выше это число, тем теоретически выше эффективность оперативной памяти.

Как известно, при разгоне ОЗУ без увеличения напряжения, поднимая частоту, скорее всего, придется поднять и тайминги на 1 или 2 такта. Исходя из нашей формулы, можно понять, обосновано ли поднятие частоты или нет. Вот пример настройки одной и той же планки ОЗУ:

DDR4-2400 CL14-16-16 @1.2V
2400 / 14 = 171.428

DDR4-2666 CL15-17-17 @1.2V
2666 / 15 = 177.7(3)

Вот и получается, что если частота 2400 МГц требует поднять тайминги на 2 такта по сравнению со стандартными таймингами, то нам это абсолютно не выгодно. А вот с частотой 2133 и 2666 МГц можно провести тесты производительности и стабильности системы, чтобы выбрать, какой из них для нас оптимальный.

Тестирование производительности и стабильности системы после разгона ОЗУ

После каждой подстройки оперативной памяти в биосе (то есть после разгона) сохраняйте настройки биоса и запускайте систему. Если система запустилась, это уже хорошо, если нет – компьютер перезагрузится с заводскими настройками. А если компьютер совсем не включается, то настройки можно сбросить вручную, замкнув на материнской плате контакт Clear CMOS (JBAT1) любым металлическим предметом или перемычкой.

После этого вам нужно будет проверить систему на стабильность, запустив один из специальных тестов (например, в AIDA64 или Everest) или запустив игру, которая может хорошенько нагрузить систему. Если компьютер не выключается, не перезагружается, не выдает ошибку, не зависает и не появляется синий экран смерти, значит, эти настройки разгона оперативной памяти вам подошли.

Отсеивайте те комбинации настроек, при которых компьютер работает нестабильно. А те, которые работают стабильно, проверяйте на производительность и сравнивайте.

Можно использовать многочисленные бенчмарки (в том числе встроенными в AIDA64 или Everest) и проверять с какими настройками сколько баллов наберет ваша система. А можно использовать старый добрый архиватор. Создайте папку для теста, накидайте в нее всякого хлама (файлы среднего и маленького размера) и заархивируйте ее архиватором. При этом засеките, сколько времени на это уйдет. Победит, конечно же, та настройка, при которой архиватор справится с тестовой папкой максимально быстро.

Тестирование моей оперативной памяти в бенчмарке Everest’a

Подробная видео-инструкция

Резюме:

Чем же можно резюмировать эту статью. Первое, что я хочу вам сказать – разгон оперативной памяти – это не так уж и просто. И, если вы прочитали даже 20 статей на эту тему – это еще не означает, что вы знаете, как разогнать оперативную память.

Второе – разгон оперативной памяти не повысит производительность вашей системы так же сильно, как разгон процессора, если только вы не обладатель процессора AMD Ryzen. В случае с этой линейкой процессоров от компании AMD, скорость оперативной памяти очень сильно влияет на быстродействие процессора. Это обусловлено принципиально новой архитектурой процессора, в которой кэш память процессора оказалась слабым звеном.

ОЗУ не самая дорогая вещь в компьютере. Вот и подумайте, может быть вам лучше не разгонять, а просто увеличить оперативную память в компьютере?

В любом случае, удачи вам в экспериментах и делитесь своими результатами, нам тоже интересно!

Друзья, если вы заметили на сайте какой-нибудь баг, то напишите об этом в комментариях или отправьте сообщение на почту через контакты, и мы его исправим.

А также мы будем рады услышать ваши пожелания, если вам по какой-то причине неудобно пользоваться сайтом.

Не будьте равнодушными к проекту. Спасибо! 🙂

Источник

Как разогнать оперативную память ddr3

Оперативная память является важным компонентом компьютера или ноутбука, который частично определяет его быстродействие и возможности. Немногие знают о том, что производительность устройств можно существенно повысить, не прибегая к замене основных элементов. Делается это путем «разгона» установленных микросхем, в том числе и ОЗУ. Процесс разгона отличается от повышения мощности процессора или видеопамяти. Мы расскажем вам, как сделать это правильно, не допуская ошибок.

Специфика процесса

Многие IT-специалисты указывают на то, что производители зачастую устанавливают ограничение на возможность искусственного увеличения производительности. Кроме этого, повышение скорости работы ОЗУ зачастую проводится после разгона установленного процессора. Отдельно обе важные составляющие компьютера разгоняются крайне редко, так как их работа отвечает за основные функции. Что касается видеокарты, то ее подвергают разгону и отдельно — все зависит от того, для обработки каких данных проводится увеличение производительности.

Одной из основных характеристик ОЗУ считают объем, который принято измерять в гигабайтах. Однако на производительность оказывает влияние частота работы, пропускная способность и другие характеристики, которые редко указываются в кратком описании компьютера. Под «разгоном» понимают включение особых режимов работы за счет:

Некоторые IT-специалисты выделяют метод повышения производительности, который связан с изменением показателей электрического напряжения в установленной микросхеме.

Оптимальные методы разгона

При изготовлении микросхемы рассматриваемого типа могут использоваться самые разные архитектуры, в большинстве случаев можно только максимально повысить тактовую частоту или пропускную способность — обе сразу не получится. Некоторые выбирают компромиссное сочетание устанавливаемых настроек.

Среди основных рекомендаций выделим следующие моменты:

Кроме этого, после проведения работы по разгону компьютера можно заметить, что он начинает работать медленнее. Это связано с тем, что не каждый процессор и ОЗУ предназначены для разгона. В некоторых случаях с заводскими настройками они работают куда лучше и стабильнее.

Что следует знать о частоте ОЗУ

Разгон оперативной памяти ddr3 или другого типа многие проводят для увеличения тактовой частоты. Ее показатель определяет, сколько операционных тактов производит установленная микросхема в секунду. С увеличением данного значения микросхема начинает работать быстрее, время между действием пользователя и откликом устройства снижается.

Производители ОЗУ типа DDR указывают два типа тактовой частоты:

Показатель эффективной, как правило, в два раза больше реальной. Показатель реальной тактовой частоты редко можно встретить в описании оперативной памяти, для ее определения приходится искать подробную спецификацию или использовать программу мониторинга производительности компьютера.

Рабочее напряжение

Все части компьютера работают исключительно под своим напряжением, для некоторых оно может быть переменчивым. Этот момент следует учитывать при рассмотрении процесса разгона. Ранее распространенный тип памяти DDR 2 работает при 1,8 вольта.

На сегодняшний день распространенная память типа DDR 3 при 1,5 вольта. Специалисты утверждают, что эти пороги можно несущественно превысить. Для DDR 2 выставляется значение 2,2 вольта, для DDR 3 показатель составляет 1,65 вольта.

При превышении этих значение микросхема начнет работать неправильно, могут появиться существенные сбои. Кроме этого, IT-специалисты утверждают, что даже самая качественная микросхема от известного производителя может плохо воспринять повышение напряжения. Поэтому если в этом нет особой надобности, то лучше всего оставлять заводские настройки.

Использование тестов

Точного способа разогнать оперативную память ddr3 нет. Это связано с тем, что существует огромное количество планок ОЗУ, каждая может отреагировать по-разному на изменение заводских параметров. Именно поэтому выходом из ситуации становится подбор наиболее подходящих настроек при тестировании каждого изменения. Для этого можно использовать специальные программы, которые существенно упрощают поставленные задачи.

При выборе программ для тестирования работы компьютера рекомендуется уделить внимание следующим:

Выделить лучшую программу с двух вышеприведенных сложно, так как каждая имеет свои достоинства и недостатки. Почему именно эти две программы при огромном выборе? Ответ довольно прост — они не только делают мониторинг основных показателей при нагрузке или простое устройства, но и имеют функцию отслеживания стабильности работы многих моделей ОЗУ. Подобным образом снижают вероятность того, что проведенные изменения приведут к потере стабильности работы оперативной памяти.

Инструменты изменения показателей

Выставить необходимые значения можно при использовании самых различных инструментов. Выделяют два основных метода:

Многие специалисты в рассматриваемом вопросе рекомендуют воспользоваться первым методом, так как стороннее ПО может работать некорректно, быть несовместимым с конкретными типами ОЗУ. Кроме этого при использовании БИОСа разгон осуществляется на низком уровне взаимодействии с аппаратными компонентами, за счет чего можно достигнуть лучших результатов.

Среди ключевых нюансов отмечают следующие моменты:

Процессоры Intel и AMD

Тесты, которые проводятся при разгоне оперативной памяти, указывают на то, что процессоры Intel, построенные на современной архитектуре, плохо поддаются корректировке в отношении параметра BCLK. Если провести его изменение, то велика вероятность возникновения серьезных сбоев.

Эта информация определяет то, что изменить «опорную частоту» будет довольно сложно. Поэтому единственный выход из сложившей ситуации — изменение показателя множителя, что обычно приводит к незначительному повышению мощности.

Некоторые из процессоров рассматриваемого производителя хорошо реагируют на подобные эксперименты. Примером назовем Core i7−8. При их производстве используется архитектура Lynnfield.

На результаты проводимых экспериментов может оказать влияние и тип материнской памяти. Данный элемент компьютера также имеет чипсет, который отвечает за обработку некоторой информации.

Процессоры, выпускаемые под брендом AMD, постепенно уходят с рынка. При этом они ведут себя более предсказуемо при увеличении производительности оперативной памяти, что позволяет снизить вероятность возникновения ошибок.

В заключение отметим, что повышение производительности всегда приводит к выделению большего количества тепла. Поэтому при недостаточном охлаждении системного блока следует провести установку более мощной системы отвода тепла, так как велика вероятность перегрева.

Видео

Из этого видео вы узнаете, как правильно настроить и разогнать оперативную память вашего ПК.

Источник

Выжимаем соки из ПК: разгон памяти

Увеличиваем производительность ПК за счет оверклокинга оперативной памяти.

Как показывает практика, многие пользователи и не подозревают о том, что апгрейд ПК — не единственный вариант увеличения производительности компьютера. В прошлых публикациях из серии материалов «Выжимаем соки из ПК», мы рассказывали вам о том, как разгонять процессор и видеокарту. Но это не единственные комплектующие, мощность которых можно увеличить программным способом. В эту категорию входит ещё и ОЗУ. В сегодняшней статье мы расскажем вам, как разгонять оперативную память, как оперативка связана с процессором и для каких систем оверклокинг особенно выгоден.

Какой прирост производительности от разгона?

В связи с ростом доли процессоров AMD Ryzen на рынке компьютерного железа потребность в разгоне памяти резко увеличилась. Процессоры Ryzen очень чувствительны к частоте ОЗУ из-за новой шины Infinity Fabric, которая связывает две четырехядерные части кристалла между собой. Старая шина Hyper Transfer не была столь требовательна к памяти. Тоже самое касается и других старых процессоров. Их пропускная способность и возможности взаимодействия с памятью зачастую ограничивались производителем. Поэтому учитывайте, что максимальный прирост от разгона будет зависеть от нескольких факторов: тип ОЗУ, архитектура процессора, возможности материнской платы.

Если постараться привести какие-то конкретные цифры, то мы получим, что максимальный прирост производительности будет ощущаться на платформах со свежими моделями Ryzen на борту. От 20% и выше. Что же касается Intel, то для них частота оперативной памяти не так важна, но 10% разницу вы, скорее всего, заметите. На старых материнских платах с типами памяти DDR2, DDR3 прирост будет еще меньше, но это не повод от него отказываться. Конечно, увеличение производительности зависит от степени самого разгона, но если говорить совсем обобщенно и усредненно, то вы, вероятно, увидите вышеописанные цифры.

От чего зависит разгон?

Самые главные характеристики ОЗУ — это частота и тайминги. Тайминги отображают, какой промежуток времени необходим модулю RAM для доступа к битам данных при выборке из таблицы массивов памяти. Если говорить простым языком, то чем они ниже, тем лучше. Однако именно частота, всё же, является самой важной характеристикой и в большей степени влияет на производительность памяти.

Как и при разгоне процессора, память, работающая на высокой частоте, потребует и увеличенного напряжения, подаваемого на чипы. Для ОЗУ с типом DDR2, 1,8 В — нормальное напряжение. Для DDR3 — уже 1,5 В. А для современной DDR4 — 1,2 В. Соответственно, для каждого типа существует определенный уровень напряжения, через который не рекомендуется переступать, чтобы память работала стабильно и не вышла из строя. Для DDR2 значение 2,2 В считается пиковым. Для DDR3 — 1,7 В. Для DDR4 — 1,4 В.

Большое значение имеет и ранг памяти. Существует два основных типа: двухранговая и одноранговая ОЗУ. Если плата содержит набор из восьми 8-битных чипов (в общей сложности получается 64 бита) то это один ранг. Если плата содержит шестнадцать восьмибитных чипов, то она, соответственно, двухранговая. С точки зрения разгона, single rank намного выгоднее. Он не только дешевле по цене, но и позволяет планке взять более высокую частоту. Dual rank же на стоковых частотах показывает себя, как более мощное устройство, однако покоряет далеко не самые высокие вершины частоты. Поэтому двухранговая память лучше подойдет в стоковые сборки, где не планируется оверклокинг.

Узнать, сколько рангов имеет ваша память — очень просто. Для этого нужно воспользоваться любой утилитой, которая мониторит технические характеристики ваших комплектующих. Например, с этой задачей хорошо справляет программа CPU-Z. На вкладке SPD, в графе Ranks, вы найдете то, что вам нужно.

Еще можно взглянуть на маркировку на самой планке. Однако, производитель не всегда наносит на маркировку подобные данные. Одноранговые модули помечаются буквой S. Двухранговые — буквой D. Пример:

Существует несколько компаний, занимающихся производством чипов памяти. Самые распространенные — Samsung, Hynix, Micron. Лучше всех в разгоне показывают себя чипы от компании Samsung из-за того, что способны взять самую высокую частоту среди конкурентов. Впрочем чипы от оставшихся производителей — тоже неплохие. Другое дело — компании, которые в производстве чипов не так сильно преуспели. Например, фирменные чипы от AMD или от SpecTek не позволят вам покорить высокую частоту. Посмотреть производителя чипов тоже можно с помощью программ для мониторинга. Например, AIDA64 это умеет.

В главном окне выберете категорию Системная плата, затем «SPD» и в графе «Производитель DRAM» найдете компанию-разработчика.

Процесс разгона

Если вы являетесь счастливым обладателем качественно исполненного кита памяти, как, например Corsair Vengeance 3200 МГц, то вас ждет простая и короткая последовательность действий в БИОСе. Достаточно просто выставить соответствующий XMP-профиль в настройках. XMP-профиль — заранее заготовленные разработчиками настройки памяти. Просто выберите нужную вам частоту, и XMP-профиль автоматически подстроит все остальные параметры. Выбрать профиль можно в разделе «OC», подраздел DRAM settings. Если память не поддерживает XPM, то придется подбирать все параметры вручную.

Не забудьте выставить напряжение в разделе «Dram Voltage«. Напоминаем, что рекомендуется не превышать отметку в 1,4 В. Можно сразу же выбрать максимальное значение и в случае стабильности системы убавлять.

Следующим шагом будет повышение напряжения контроллера памяти и L-3 кэша. Параметр называется CPU NB/SoC Voltage. В случае если вы не можете в настройках найти данный параметр, то причиной может быть устаревшая версия БИОСа материнской платы. Например, на материнке Asrock Fatality AB350 Gaming K4 данный функционал открывается только в самой свежей версии БИОСа, которая вышла пару месяцев назад. До этого владельцы такой доски не могли регулировать напряжение контроллера памяти. В среднем, рекомендуемые значения при разгоне находятся в диапазоне от 1,025 до 1,15 В. Точное значение подбирается экспериментальным путем, потому что сильно зависит от чипов памяти.

После всех проделанных манипуляций остается только подобрать соответствующие тайминги (если, конечно, ваши модули не поддерживают XMP). Тут всё зависит от степени разгона. При небольшом оверклокинге достаточно поднять все значения на пару тактов. Скажем, с 16-16-16-39 до 18-18-18-41. В первый раз можно взять с запасом и после прогона стресс-теста снизить значения.

Далее сохраняем изменения в БИОСе, нажав клавишу F10. Если система стартовала успешно, то нужно запустить стресс-тест. С этой задачей справится встроенный бенчмарк в AIDA64. Но лучше воспользоваться специализированным софтом вроде MemTest86. Если после теста всё работает стабильно и без ошибок, то возвращаемся в БИОС, снижаем тайминги и напряжение до тех пор, пока система не откажется запускаться. Таким образом, «методом тыка» мы ищем максимально производительные значения при которых система не вылетает. Далее снова прогоняем тесты, финальным штрихом является тяжелая нагрузка в играх. Если все ОК — потираем ручки и радуемся бонусной производительности.

Источник

Как правильно выставить тайминги оперативной памяти ddr3

В этой статье будет рассказано, как произвести настройку оперативной памяти в БИОСе. Дочитайте статью до конца, так как, помимо основной инструкции, речь будет вестись о смежных вещах, без знания которых может ничего не получиться.

Почему может не получиться настроить оперативную память в БИОСе

К сожалению, каждый пользователь не может вносить коррективы в настройки оперативной памяти. И обусловлено это совсем не ее моделью, поэтому не нужно гадать, какая оперативная память лучше подходит для корректировки параметров. Напротив, связано это с моделью материнской платы. Почему? Да потому, что BIOS Setup Utility находится именно в ней. Отсюда выходит, что первым делом необходимо понять, позволяет ли комплектация компьютера вносить изменения в настройки ОЗУ. А сделать это не так уж и просто, ведь каждая материнская плата отличается друг от друга, но точно можно сказать, что старые платы и платы низшего ценового сегмента стопроцентно не подходят.

Правила разгона

Не все материнские платы поддерживают разгон. Китайские «ноунеймы» в особенности любят блокировать возможность увеличить производительность вручную, оставляя только автоматическое поднятие частот.

Turbo Boost — это всегда разгон в щадящем режиме, протестированный производителем и максимально безопасный. Чтобы получить производительности на 5–10% больше, потребуется поработать ручками. Контроллер памяти процессора не даст разогнать оперативную память выше собственных параметров частоты.

Запуск BIOS Setup Utility

Что нужно сделать в первую очередь? Несомненно, прежде чем приступать к настройке оперативной памяти, необходимо войти в CMOS. Что это? Это и есть тот самый БИОС. К сожалению, предложить универсальный способ входа в него невозможно, ведь все зависит непосредственно от производителя и самой материнской платы. Но можно сказать, что вход осуществляется непосредственно при запуске компьютера, когда перед вами много разных слов на фоне черного экрана. В этот момент вам необходимо нажать специальную клавишу, отвечающие за вход в утилиту BIOS. Чаще всего это Del, реже F1 или F2. Это что касается компьютеров, у ноутбуков, наоборот, для входа используются клавиши с приставкой F (F1, F2, F10, F11 или F12).

Вообще, вы можете увидеть необходимую клавишу в момент загрузки системы, там будет примерно следующий текст: «Press DEL to run Setup», где вместо «DEL» будет указана, возможно, другая клавиша.

Оптимизация работы жесткого диска

HDD S.M.A.R.T Capability – параметр включает или выключает систему диагностики S.M.A.R.T., которая предупреждает о возможных отказах жесткого диска. Использовать эту систему или нет, решать Вам. Я лично ее отключаю, т.к. использую специализированные программные средства. При работе эта функция незначительно снижает скорость работы компьютера.

IDE HDD Block Mode – параметр, отвечающий за блочную передачу данных. Т.е. за единицу времени передается больше информации, что также повышает производительность системы. Возможно автоматическое определение подходящего параметра.

IDE Burst Mode – параметр подключает буфер обмена данных с интерфейсом IDE, что также увеличивает производительность.

Интерфейс BIOS

Итак, мы не только разобрались, что CMOS – это и есть БИОС, но и, что немаловажно, мы решили, как в него войти. Однако переходить к руководству по изменению параметров оперативного запоминающего устройства все равно рановато, ведь для начала необходимо разобраться в разновидностях БИОСа, а точнее, в разновидностях его интерфейсов.

Забегая вперед, скажем, что в статье будут разобраны три представителя: AMI, UEFI и AWARD, хотя есть еще Intel BIOS, но это лишь модификация AMI, поэтому инструкция для них общая. Стоит также не путать AWARD BIOS и Phoenix, так как это одно и то же.

Все вышеперечисленные версии имеют разный внешний вид, из-за чего настройка оперативной памяти в БИОСе выполняется по-разному. Описывать каждый сейчас нет смысла, ведь далее все будет дословно изложено. Стоит лишь сказать одно – несмотря на отличный друг от друга внешний вид и разное расположение некоторых элементов интерфейса, инструкция во многом применима для всех BIOS Setup Utility.

Разгон с помощью профиля XMP от MSI

В современные планки ОЗУ устанавливается SPD-чип с предустановленными профилями разгона, позволяя увеличивать частоту до 3200 MHz. Для разгона такой оперативки выбираем функцию «XMP» в BIOS.

Опускаемся вниз, не трогая остальные настройки, указываем «Профиль 1». Сохраняем изменения, тестируем в Benchmark.

Настройка

Вот теперь, разобравшись со всеми нюансами, выяснив, что такое CMOS и как войти в БИОС, наконец-то мы можем перейти непосредственно к руководству по тому, как произвести настройку оперативной памяти. Однако учтите, что вмешательство в параметры этого компонента может повлиять на стабильность работы компьютера. Этот «показатель» может измениться как в лучшую сторону, так и в худшую, поэтому рекомендуется иметь за плечами большую теоретическую базу знаний, чтобы в процессе выполнения всех указаний не причинить вред компьютеру.

Оптимизация работы видеокарты AGP

Видеокарта, как правило, оказывает самое большое влияние на производительность в играх, поэтому оптимизация настроек видеокарты может неплохо сказаться на общей скорости работы системы.

Особенно это актуально для счастливых обладателей старых видеокарт с интерфейсом AGP. Рассмотрим основные параметры.

Display Cache Window size – параметр определяет размер кешируемой памяти для нужд видеосистемы. Если в вашем компьютере менее 256 Мб оперативной памяти, выставите значение данного параметра 32 MB. Иначе поставьте значение 64 MB.

AGP Capability – параметр определяет режим работы видеокарты. Основная характеристика производительности работы AGP-видеокарт. Выберите самый быстрый режим – 8Х.

Однако не все видеокарты поддерживают данный режим. Если после перезагрузки компьютера операционная система не загружается или изображение ухудшилось, уменьшите значение данного параметра.

AGP Master 1WS Read / 1 WS Write – параметр устанавливает количество тактов одного цикла чтения либо записи. Как и с настройками оперативной памяти, параметр тайминга существенно увеличивает производительность процесса, однако возможна нестабильность операций чтения и записи.

При включении данного параметра чтение/запись будет происходить за один такт – производительность максимальна. При выключении параметра – система работает стабильно, но медленно.

VGA 128 Range Attribute – включает буфер обмена данными между центральным процессором и видеоадаптером. Производительность увеличивается.

Также советую отключить параметр AGP Spread Spectrum и обязательно включить AGP Fast Write Capability.

Способ первый: Award BIOS

А начнем мы с того, что расскажем, как настроить оперативную память в БИОСе Award. Этот вид CMOS отличается раздельным экранном, поделенным на две части. В левой – стандартные настройки, а в правом – расширенные. задействовать мы будем и те и другие. Ну, долго не разглагольствуя, перейдем к самой инструкции по настройке.

На этом настройку можно считать оконченной, нажмите F10 для сохранения всех изменений и выйдите из БИОСа.

Разгон серверной ОЗУ

Рассмотрим автонастройки частоты на примере материнской платы x79 LGA2011 с процессором Intel Xeon E5-2689. Серверная оперативная память — 2 планки Samsung по 16 Gb с частотой 1333 MHz, работающие в двухканальном режиме, тайминг — 9-9-9-24.

Путь к разгону лежит через BIOS, вкладка «Chipset», раздел «Northbridge» — параметры северного моста.

Выбираем настройку «DDR Speed». Параметр «Auto» меняем на «Force DDDR3 1600». Сохраняем, перезагружаемся. Запускаем тест в программе AIDA 64, выбрав в меню «Сервис» задачу «Тест кэша и памяти», затем жмем «Start Benchmark».

В синтетическом тесте скорость чтения, записи и копирования увеличилась почти на 20%. «Memory Bus» поднялся до 800 MHz, тайминг — 11-11-11-28.

Возвращаемся в BIOS, ставим «Force DDDR3 1866».

При таких настройках прирост производительности достигает 39%. Процессор разогнался автоматически с 2600 MHz до 3292,5 MHz, прирост CPU составил 26%, параметры тайминга — 12-12-12-32.

Способ второй: AMI BIOS

Как можно понять, решать, какая оперативная память лучше, не стоит, ведь ее показатели можно легко изменить в настройках БИОС. Перейдем теперь к AMI BIOS и расскажем, как это сделать в нем.

По аналогии с Award BIOS, измените все параметры на нужные вам, сохраните их и перезапустите компьютер, чтобы войти в операционную систему.

Спасительная кнопка отката

Вывести из строя оперативную память, меняя частоту — невозможно. Со слишком высокими параметрами ПК просто не запустится. Если после нескольких загрузок все еще появляется «синий экран смерти», необходимо сбросить настройки на заводские параметры. Делается это с помощью перемычки «CLR CMOS», на некоторых материнках он подписан, как «JBAT».

Способ третий: UEFI BIOS

Теперь же перейдем непосредственно к настройке оперативной памяти в UEFI BIOS, пожалуй, самой удобной БИОС из всех. Так это, потому что она имеет графический интерфейс и поддерживает мышку, что значительно упрощает выполнения всех действий.

Остается лишь сохранить все настройки и перезапустить компьютер – настройку оперативной памяти в UEFI BIOS можно считать оконченной.

Как узнать частоту оперативной памяти

Показатель можно посмотреть в Виндовс:

Если у пользователя в PC установлено несколько модулей, этим способом можно узнать показатель каждого.

Также можно воспользоваться специальными программами.

Софт расположен в публичном доступе на официальном сайте. Платить за него не нужно.

Как определить частоту работы оперативы с помощью CPU-Z:

AIDA64

Один из самых эффективных тестировщиков состояния компонентов. Есть бесплатный вариант с меньшим количеством функций, чем в платной версии.

Как узнать частоту ОЗУ с помощью AIDA64:

Посмотреть в Биосе

Еще один хороший метод. Но он для продвинутых пользователей. Без знаний в подсистему лучше не заходить, чтобы случайно не ухудшить работу системы.

Тайминги: порядок расположения

Каков порядок расположения в этом числовом ряду каждого из таймингов? Он практически всегда (и это своего рода отраслевой «стандарт») таков: первая цифра – это CAS Latency, вторая – RAS to CAS Delay, третья – RAS Precharge и четвертая – Active to Precharge Delay. Как мы уже сказали выше, иногда используется параметр Command Rate, его значение пятое в ряду. Но если для четырех предыдущих показателей разброс цифр может быть достаточно большим, то для CR возможно, как правило, только два значения – T1 или T2. Первый означает, что время с момента, когда память активируется, до наступления ее готовности отвечать на запросы должен пройти 1 такт. Согласно второму – 2.

Что нужно изменять?

При разгоне или понижении работоспособности RAM следует обращать внимание на следующие несколько пунктов:

Все эти изменения – как лотерея. Точных и совершенно правильного алгоритма для всех не существует, Если Вы хотите изменить память в БИОСе, то нужно будет менять каждое значение на одну единицу, после чего смотреть на результат. В противном случае, Вы рискуете полностью «спалить» оперативную память либо сломать весь компьютер.

Также не рекомендуем сильно «разгонять» RAM, так как даже в случае корректной работы, через некоторое длительное время этот аппаратный компонент придет в негодность из-за того, что работал на мощности, не предназначенной для него.

Тестирование

Игра тестировалась на следующих настройках графики. Стоит обратить внимание, что видеокарта GTX 1060 6Gb в некоторых местах загружалась на 100%, поэтому результаты выходят не совсем эталонными.

Прошу ознакомиться с результатами тестирования. Эффективность разгона оперативной памяти проверялась изменением значения 1% FPS.

Тестовый отрезок — встроенный в игру бенчмарк.

Результаты тестирования вышли следующие. Прирост FPS от разгона памяти составил 20%, если сравнивать со значениями, которые память выдавала в стоке. Но остается один вопрос — как память на CL16 обогнала память на CL14? Легендарные «14-19-14-32» с некоторыми ужатыми вторичными таймингами, проповедуемые некоторыми блогерами в YouTube, оказались на уровне XMP по показателю 1% FPS. Почему так произошло — попробуем выяснить уже в комментариях, где вы также сможете похвастаться своими результатами разгона памяти и обсудить данную статью.

Тайминги для модулей DDR3

Одни из самых современных модулей ОЗУ – микросхемы типа DDR3. Некоторые специалисты считают, что в отношении них такие показатели, как тайминги, имеют гораздо меньшее значение, чем для чипов предыдущих поколений – DDR 2 и более ранних. Дело в том, что эти модули, как правило, взаимодействуют с достаточно мощными процессорами (такими как, например, Intel Core i7), ресурсы которых позволяют не столь часто обращаться к ОЗУ. Во многих современных чипах от Intel, так же, как и в аналогичных решениях от AMD, есть достаточная величина собственного аналога ОЗУ в виде L2- и L3-кэша. Можно сказать, что у таких процессоров есть свой объем оперативной памяти, способный выполнять значительный объем типовых для ОЗУ функций.

Таким образом, работа с таймингами при использовании модулей DDR3, как мы выяснили, – не самый главный аспект «разгона» (если мы решим ускорить производительность ПК). Гораздо большее значение для таких микросхем имеют как раз-таки параметры частоты. Вместе с тем, модули ОЗУ вида DDR2 и даже более ранних технологических линеек сегодня все еще ставятся на компьютеры (хотя, конечно, повсеместное использование DDR3, по оценке многих экспертов, – более чем устойчивый тренд). И потому работа с таймингами может пригодиться очень большому количеству пользователей.

Оперативная память не менее важна для быстродействия компьютера, чем центральный процессор и видеокарта. И если мы уже разобрались с разгоном процессора, то почему бы нам не раскрыть вопрос, как разогнать оперативную память на компьютере? Думаю, этот вопрос не менее актуален. Однако здравствуйте!

Конечно же, вам нужны будут небольшие познания работы с BIOS, но страшного в этом ничего нет, особенно, если вы уже пробовали разогнать процессор через БИОС. А вот видеокарту разогнать можно и не заходя в БИОС, достаточно воспользоваться бесплатной программой MSI Afterburner, но сегодня не об этом.

Ну что же, думаю самое время приступить к делу. Закатите рукава повыше и подвиньте клавиатуру поближе.

Источник

Крайнее средство. Нюансы разгона оперативной памяти

Бесплатно добиться от системы дополнительного быстродействия всегда приятно — именно поэтому люди занимаются разгоном. Однако в первую очередь оверклокеры разгоняют процессор и видеокарту, поскольку опыты над этими компонентами дают наибольший прирост скорости. Память обычно оставляют на десерт или не трогают вовсе. Одних останавливает тот факт, что разгонять оперативку сложно, других — что процесс этот дарует совсем незначительный бонус к производительности. Случается даже, что разгон памяти виден в бенчмарках и некоторых приложениях и абсолютно не виден в играх. Но для тех, кто в любом случае хочет выжать из своей системы все соки, «Игромания» публикует ликбез по разгону памяти.

Многогранная

В сравнении с обычной SDRAM память типа DDR обладает удвоенной пропускной способностью, что и отображено в ее названии — Double Data Rate.

Как и в случае с другими компонентами системы, процесс разгона оперативной памяти заключается в изменении рабочих параметров устройства. Добиться максимальной производительности от ОЗУ помогают шаманские пляски с тремя основными характеристиками — частотой, напряжением и задержками (таймингами).

Что можно сказать о частоте? Чем она больше — тем лучше! Фактически ее значение показывает, сколько полезных тактов могут совершить модули памяти за секунду реального времени. Однако и здесь есть свои нюансы. Дело в том, что для памяти типа DDR, которая используется в современных компьютерах, существует две разных частоты — реальная и эффективная, причем вторая ровно в два раза выше первой. Производители модулей всегда указывают эффективную частоту своих творений, в то время как в различных диагностических утилитах, а также в BIOS материнских плат нередко отображается именно реальная частота.

В чем подвох? Название DDR — это сокращение фразы DDR SDRAM, которая расшифровывается как Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory, то есть синхронная динамическая память с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных. Ключевые слова здесь — удвоенная скорость. В отличие от простой SDRAM (предшественницы DDR), рассматриваемая память взаимодействует с шиной данных не только по фронту, но и по спаду тактового сигнала, то есть одному такту шины соответствуют два такта микросхемы памяти. Соответственно, одни разработчики программного обеспечения предпочитают считать именно такты шины (реальную частоту), в то время как другие указывают частоту работы самих чипов (эффективную частоту). Так что если во время разгона вы вдруг обнаружите, что частота памяти ровно в два раза ниже, чем должна быть, то не удивляйтесь, это нормально.

Рабочее напряжение модулей оказывает существенное влияние на их стабильность. В соответствии со стандартами, для плашек DDR2 штатным является напряжение 1,8 В, а для DDR3 — 1,5 В. Медленные модули, как правило, придерживаются этих значений, а вот оверклокерские наборы почти всегда работают с повышенными вольтажами: разогнанным чипам не хватает питания, и его приходится увеличивать. Естественно, это ведет к более интенсивному тепловыделению, но если на микросхемах памяти есть радиаторы, то небольшое увеличение напряжения не создает особых проблем. Тем не менее определенные границы лучше не пересекать, иначе модули могут выйти из строя. Для DDR2 разумным максимумом можно считать напряжение в 2,2 В, а для DDR3 — 1,65 В.

Третий ключевой параметр оперативной памяти — задержки (тайминги), и это, определенно, тема для отдельной главы.

Без спешки

Таймингов у оперативки на самом деле много, но нашего внимания заслуживают лишь четыре из них.

Итак, задержки — или тайминги. Прежде чем объяснить, что это такое, не помешает ознакомиться с архитектурой памяти DDR.

Для хранения простейшей единицы информации (бита) в чипах DDR используется ячейка, представляющая собой сочетание транзистора и конденсатора. Подобных ячеек в каждой микросхеме памяти огромное множество. Они выстраиваются в строки и столбцы, которые в конечном счете образуют массивы, называемые банками. Поскольку чипы DDR относятся к динамическому типу памяти, их содержимое необходимо периодически обновлять (подзаряжать), иначе записанная в них информация будет утеряна.

Взаимодействием с ОЗУ занимается так называемый контроллер памяти. Получив от процессора команду на чтение или запись бита данных с логическим адресом, он определяет, в каком банке/строке/столбце располагается нужная ячейка и что с ней следует делать. Проблема заключается в том, что ячейка не может быть обработана мгновенно — должно пройти определенное время (читай: число тактов памяти), прежде чем нужная операция будет выполнена. Задержки, возникающие на определенных этапах чтения/записи битов, и именуются таймингами.

Мануал к материнской плате — полезное чтиво, если вы еще не излазили BIOS вдоль и поперек.

Существует большое количество таймингов, однако ключевое влияние на производительность памяти оказывают лишь некоторые из них. Конкретно — CAS Latency, RAS-to-CAS Delay, Row Precharge Time и Row Active Time. Именно таков их порядок по степени значимости, и именно в такой последовательности они располагаются в BIOS материнских плат и в описаниях к модулям памяти. Например, в технических характеристиках плашек Kingmax DDR3 2400 MHz Nano Gaming RAM есть строка «10-11-10-30» — так вот, это и есть тайминги. Первая цифра показывает значение CAS Latency, вторая — RAS-to-CAS Delay и так далее.

Чтобы понять, за что отвечают те или иные задержки, следует разобраться, как происходит считывание данных из ячеек. Для начала чип памяти должен подготовить к обработке нужную строку и столбец в банке. Для этого им отсылается соответствующая команда, после чего происходит процесс активации строки, занимающий определенное время. Количество тактов, необходимое для «пробуждения» строки, как раз и зовется RAS-to-CAS Delay.

Далее контроллер отправляет нужной последовательности ячеек (ее длина зависит от типа памяти и дополнительных настроек) команду на считывание, однако на шину данных первая порция информации поступает не сразу, а спустя несколько тактов — эта задержка именуется CAS Latency и считается ключевой для модулей памяти. После того как все необходимые данные считаны, контроллером отдается команда на закрытие и подзарядку строки.

Иногда для оживления материнской платы после переразгона требуется вынуть из нее на некоторое время батарейку.

А где же два других тайминга? Первый, Row Precharge Time, вступает в силу сразу после закрытия строки. Дело в том, что последующий доступ к этой строке становится возможным не сразу, а лишь после подзарядки, которая отнимает определенное число тактов — за этот интервал и отвечает Row Precharge Time. Ну а тайминг Row Active Time показывает период активности строки, то есть количество тактов, прошедших от момента ее активации до момента поступления команды подзарядки. Фактически эта задержка зависит от параметров RAS-to-CAS Delay, CAS Latency и длины считываемой строки, однако обычно ее значение подбирают простым сложением трех других таймингов. Это не совсем корректно, зато позволяет гарантированно избежать проблем со стабильностью работы при минимальных потерях производительности.

Запись данных в ячейки памяти осуществляется схожим образом, так что рассматривать этот процесс подробно мы не станем. Также не будем акцентировать внимание на дополнительных настройках памяти вроде длины строки и вторичных таймингов — слишком уж незначительно их влияние на общее быстродействие системы. Эти параметры будут интересны оверклокерам, идущим на рекорд, а вовсе не простым пользователям.

Воткнул — и порядок?

На модули со вшитыми профилями EPP было принято лепить шилдик «SLI Ready», хотя к технологии SLI такая память не имела никакого отношения. Многие начинающие сборщики нередко допускают следующую ошибку: стремясь вооружить системник по максимуму, они устанавливают в материнскую плату модули DDR3 с запредельной рабочей частотой (скажем, 2400 МГц) и остаются в счастливой уверенности, что память в их компьютере уже работает на заявленной скорости. Однако без дополнительных манипуляций со стороны пользователя подобные плашки будут работать в том же режиме, что и их дешевые собратья. Объясняется это тем, что базовые настройки памяти материнская плата черпает из специального чипа SPD (Serial Presence Detect), коим в обязательном порядке оснащается каждый DDR-модуль. Прописанные в SPD частоты и тайминги, как правило, далеки от максимально возможных — это сделано для того, чтобы модули могли стартовать даже в очень слабой системе. Соответственно, такую память приходится дополнительно разгонять. К счастью, иногда этот процесс можно существенно облегчить. Так, компания Intel уже не первый год продвигает особое расширение для чипа SPD, известное как XMP (Extreme Memory Profiles). Оно записывает в модули памяти информацию о дополнительных настройках системы, которая может быть считана материнскими платами с поддержкой этой технологии. Если материнке удастся подхватить нужный профиль XMP (он выбирается через BIOS), то она автоматически выставит заявленную в нем частоту памяти, подкорректировав ради этого другие параметры системы, — произойдет автоматический разгон. Правда, при этом крайне желательно, чтобы память была сертифицирована для той платформы, на которую она установлена, иначе профиль либо не сработает, либо сработает, но не так, как надо. Кроме того, никогда не лишне перепроверить выставленные автоматикой значения, поскольку некоторые производители памяти умудряются прописывать в профиле XMP такие настройки, от которых система может скоропостижно скончаться. В целом же технология эта очень полезна, но дружит она только с процессорами Intel. Стоит отметить, что еще до появления XMP компании NVIDIA и Corsair продвигали аналогичную разработку, известную как EPP (Enhanced Performance Profiles), но она не прижилась. Соковыжималка Популярная утилита CPU-Z отображает реальную частоту памяти, а не эффективную, и многих новичков это вгоняет в ступор. С тем, как работает оперативная память, мы разобрались. Теперь осталось понять, как добиться от нее большей производительности, — и вот с этим дело не просто. Существует два разных способа разгона памяти. Первый подразумевает повышение частоты модулей, второй — понижение таймингов. Другими словами: можно либо увеличивать количество тактов в секунду, либо делать сами такты более продуктивными. В идеале, конечно, следует использовать оба метода одновременно, но улучшение одного параметра всегда ведет к ухудшению другого, и подобрать оптимальный баланс нелегко. Нельзя сказать заранее, что окажется полезнее вашей системе — высокочастотная память с ослабленными таймингами или модули, функционирующие на более низкой частоте, но обладающие минимальными задержками. Если вы готовы драться за каждый лишний балл в каком-нибудь PCMark, то мы рекомендуем перепробовать несколько различных соотношений частоты и таймингов и выбрать тот, что дает наилучший результат конкретно для вашей системы. В противном случае будет разумнее сначала увеличить тайминги, потом найти частотный потолок для используемых модулей памяти, а затем попытаться вновь снизить задержки — как показывает практика, такой подход чаще оказывается выигрышным. При этом на протяжении всего пути не стоит сильно отклоняться от базового соотношения таймингов: первые три задержки должны быть примерно одинаковыми, а для четвертой желательно выставлять значение равное сумме этих таймингов или чуть ниже. При разгоне памяти приходится регулярно прибегать к помощи бенчмарков, которые помогают оценить стабильность работы. При разгоне памяти нельзя обойтись без помощи тестов, измеряющих производительность системы, — именно они позволят оценить, насколько велик прирост быстродействия вследствие ваших манипуляций и есть ли он вообще. Может показаться парадоксальным, но порою понижение таймингов или увеличение частоты оперативки может негативно сказаться на скорости работы компьютера — случаются такие сюрпризы нечасто, но отмахиваться от них не стоит. В общем, без бенчмарков никуда. Какое ПО лучше всего использовать? Мы советуем джентльменский набор из PCMark, Everest и WinRAR (встроенный тест), но вообще список диагностических утилит для памяти обширен — выбирайте то, что больше по душе. Кстати говоря, бенчмарки полезны еще и потому, что позволяют проверить память на стабильность работы. А после того, как разгон будет считаться завершенным, не помешает дополнительно помучить компьютер стресс-тестами вроде OCCT и S&M, дабы окончательно убедиться в стабильности системы. Проводя эксперименты, не стоит забывать о повышении напряжения, причем речь идет не только о самих модулях, но и о контроллере памяти — нередко именно он мешает раскрыть весь потенциал разгоняемых плашек. Ранее на платформах Intel этот важный элемент системы располагался в северном мосту чипсета, однако с недавних пор он окончательно переселился в центральные процессоры, поэтому на современных платформах увеличение напряжения на контроллере негативно сказывается на температуре ЦП. Таким образом, иногда для эффективного разгона памяти приходится дополнительно усиливать охлаждение процессора, а не самих модулей. Предостережем: не повышайте напряжение на контроллере более чем на четверть, это может привести к печальным последствиям. Наконец, стоит заранее определиться, каким образом будет осуществляться разгон. Можно либо воспользоваться специальной утилитой, либо изменять необходимые параметры непосредственно в BIOS. Мы настоятельно рекомендуем взять на вооружение второй вариант, поскольку ни одна программа не в состоянии раскрыть все возможности, предоставляемые системной платой. Соответственно, перед проведением опытов не помешает внимательно изучить инструкцию к материнке — это позволит понять, что именно скрывается под тем или иным пунктом в BIOS. Так уж сложилось, что каждый производитель стремится ввести в обиход свои собственные обозначения, и даже такие, казалось бы, общепринятые термины, как названия таймингов, могут варьироваться от платы к плате. И еще: не стоит сразу впадать в панику, если на определенном этапе разгона система вдруг напрочь откажется стартовать. Как правило, это означает лишь, что материнская плата не может автоматически сбросить неприемлемые для нее настройки BIOS. Встречается данная болезнь не так часто и лечится она банальным выниманием батарейки из платы. А вот если это не поможет — тогда уже можно и паниковать. Индивидуальный подход Пользоваться специальными утилитами для разгона системы можно, но не нужно — их функционал хромает. Когда дело доходит непосредственно до ковыряния в многочисленных меню, становится понятно, что изменять тайминги куда проще, чем частоту памяти. Это в видеокартах все элементарно: потянул в специальной утилите ползунок вправо — получил нужную прибавку к частоте. С полноценными DDR-модулями все намного сложнее. Основные проблемы связаны с тем, что скорость работы оперативки зависит сразу от двух параметров — опорной частоты (FSB, BCLK) и множителя. Перемножая эти значения, мы получаем итоговую частоту ОЗУ. Однако простое увеличение первого параметра почти наверняка приведет к непредвиденным результатам, ведь это неизменно скажется на производительности других компонентов системы. Можно, конечно, не трогать опорную частоту, но добиться впечатляющего разгона с помощью одних лишь модификаций множителя в большинстве случаев невозможно. На разных платформах изменение опорной частоты приводит к разным последствиям. Кроме того, нередко ради повышения скорости работы памяти требуется изменить рабочие параметры других исполнительных блоков системы. Словом, к каждой платформе нужен свой подход, так что мы постараемся разобрать основные нюансы для каждого случая. Рассматривать все возможные конфигурации мы, разумеется, не станем — сосредоточимся на десктопных платформах, появившихся в последние несколько лет. У всех них контроллер памяти располагается в процессоре, так что можно сказать, что особенности разгона зависят от того, какой именно кусок кремния является сердцем системы. Итак, хит-парад самых актуальных на сегодняшний день процессоров. Intel Sandy Bridge Повышая рабочее напряжение, можно увеличить разгонный потенциал модулей, но бездумно задирать этот параметр не стоит — память может и перегореть. Новейшие процессоры Intel, представленные двухтысячной линейкой Core i3/i5/i7, придутся по душе оверклокерам-новичкам. Матерые адепты разгона считают, что с приходом Sandy Bridge разгонять систему стало слишком скучно. Все дело в том, что в этих процессорах опорная частота (у Intel она зовется BCLK), от которой пляшут все основные исполнительные блоки, практически не поддается изменению — стоит отклонить ее на какие-то 6-7 МГц, и система начинает вести себя неадекватно. Соответственно, старые добрые приемы в случае с Sandy Bridge не работают, поэтому единственный способ разогнать оперативку (как, впрочем, и процессор) — увеличивать соответствующий множитель. Благо контроллер памяти, встроенный в новые процессоры, вышел довольно шустрым, и частота в 2133 МГц ему покоряется без проблем. Поскольку трогать BCLK настоятельно не рекомендуется, итоговая опорная частота памяти в любом случае должна быть кратна 266 МГц, то есть не любой набор DDR3 удастся завести именно на той частоте, что заявлена его производителем. Скажем, модули DDR3-2000, встретившись с новыми процессорами Intel, будут работать как DDR3-1866. Заметим, что одного лишь процессора Sandy Bridge для эффективного разгона ОЗУ недостаточно — нужна еще и подходящая материнская плата. Все дело в том, что Intel искусственно ограничила оверклокерские возможности не только процессоров (множитель можно увеличить лишь у моделей с индексом «К»), но и чипсетов. Так, младшие наборы логики память разгонять не умеют, поэтому в системных платах на их основе даже самые скоростные модули будут работать как DDR3-1333. А вот чипсет Intel P67 Express, позиционирующийся как решение для энтузиастов, поддерживает режимы вплоть до DDR3-2133, поэтому к выбору материнской платы под Sandy Bridge стоит подходить со всей основательностью. Чем лучше у вашей памяти радиаторы, тем выше у нее разгонный потенциал. Как определить, подходят ваши конкретные модули для разгона или нет? Если плашки изначально не относятся к оверклокерскому классу (то есть их частота не превышает рекомендованных создателями процессоров значений), то отталкиваться стоит прежде всего от их производителя, рабочего напряжения и системы охлаждения. Про производителя, думаем, объяснять не стоит: именитые компании используют проверенные чипы, возможности которых, как правило, не до конца исчерпаны, а вот от китайского нонейма ожидать выдающегося разгонного потенциала не стоит. Рабочее напряжение также позволяет определить, насколько микросхемы близки к пределу своих возможностей: чем меньше вольт подается на чипы по умолчанию, тем сильнее можно будет увеличить напряжение самостоятельно и тем выше будет частотный потенциал. Ну а качественные радиаторы позволяют эффективнее отводить тепло от чипов, что позволяет выжать из плашек чуть больше производительности. Intel Bloomfield Если ошибиться с выбором материнской платы для Sandy Bridge, то о разгоне памяти можно будет сразу забыть. Любимцы энтузиастов — процессоры Core i7 девятисотой серии — обладают феноменальной вычислительной мощностью, однако с их помощью очень сложно заставить память работать на запредельных частотах. Отчасти это компенсируется тем, что контроллер памяти у Bloomfield может работать в трехканальном режиме, недоступном другим рассматриваемым платформам. При работе с Core i7-9хх возможности оверклокерских модулей, как правило, упираются в недостаточную производительность процессорного блока Uncore. Последний состоит из контроллера памяти и L3-кэша, а скорость его работы напрямую зависит от BCLK. При этом существует правило, что частота этого блока должна быть как минимум в два раза выше частоты работы памяти, то есть, например, для нормального функционирования плашек в режиме DDR3-1800 придется завести Uncore на 3600 МГц. Проблема заключается в том, что этот самый блок получился большим и горячим. Работу в нештатном режиме он не любит, и подаваемое на него напряжение необходимо существенно увеличивать (но не выставлять выше 1,4 В!). В итоге, даже если не разгонять вычислительные блоки процессора, Uncore с частотой 4000 МГц разогреет кристалл так, что не всякий кулер справится. Поэтому пересечь черту в 2000 МГц для памяти, не применяя серьезное охлаждение, крайне сложно. А поскольку разгонять память, не повышая частоту процессора, не очень разумно, можно констатировать, что среднестатистическому компьютеру на базе Bloomfield скоростная память вообще не нужна — какой-нибудь DDR3-1600 хватит с лихвой. Любопытно, что модели семейства Core i7-9хх предоставляют в распоряжение пользователя внушительный набор множителей для памяти — они покрывают диапазон от 6х до 16х с шагом 2х. Для Uncore множитель так и вовсе можно выкручивать до 42х. Ну а поскольку штатная частота BCLK у Bloomfield равна 133 МГц, к максимально возможным для памяти значениям частоты можно подобраться, даже не трогая тактовый генератор. Впрочем, играясь и с BCLK, и с множителем, опытный оверклокер в любом случае сможет выжать из плашек еще немного бонусных мегагерц. Intel Lynnfield При разгоне памяти на платформе Bloomfield следует в первую очередь позаботиться об эффективном охлаждении процессора. Процессоры линеек Core i7-8хх и Core i5-7хх, построенные на архитектуре Lynnfield, — это, пожалуй, лучший выбор для тех, кто хочет поставить рекорд частоты модулей памяти. Чтобы убедиться в этом, достаточно взглянуть, какие процессоры используются нынешними рекордсменами. Секрет успеха Lynnfield в том, что для стабильной работы оперативки частота Uncore у этих кристаллов необязательно должна быть в два раза больше частоты памяти. Intel решила вообще заблокировать множитель ненавистного оверклокерами блока: для восьмисотых моделей Core i7 он зафиксирован на отметке 18х, а для семисотых — на 16х. Максимальные множители памяти для этих процессоров равны 12х и 10х соответственно. Таким образом, Uncore больше не выступает в роли бутылочного горлышка при разгоне памяти, поэтому «набор высоты» проходит легко и непринужденно. Процессор из линейки Core i7-8хх без труда сможет выжать максимум из любого набора памяти: до 1600 МГц (133х12) можно добраться, не трогая BCLK, ну а дальше в ход идут эксперименты с опорной частотой. У семисотых Core i7 возможности чуть скромнее, но и их рядовому пользователю должно хватить с лихвой. Конечно, при значительном увеличении BCLK блок Uncore хорошенько разогреется (его рабочее напряжение придется усилить), однако к тому времени модули уже будут работать на пределе возможностей. Вообще же в таких случаях крайне желательна мощная система охлаждения процессора. Intel Clarkdale У процессоров Clarkdale контроллер памяти вынесен на отдельный кристалл, и это плохо сказывается на эффективности контроллера. Бюджетные процессоры Intel со встроенной графикой, представленные семействами Core i5-6хх, Core i3 и Pentium G, плохо дружат с памятью. Увы, в целях экономии в этих моделях контроллер памяти вместе с графическим ядром вынесен на отдельный кристалл, который соединен с вычислительными ядрами шиной QPI. Использование шины плохо сказывается на производительности контроллера, так что от скоростной памяти в системе с Clarkdale особого толка не будет. Разгон памяти, работающей в тандеме с обозначенными процессорами, осуществляется самым обычным образом: увеличиваем множитель, подкручиваем частоту BCLK (по умолчанию она равна 133 МГц). Никаких подводных камней нет, разве что при сильном разгоне придется понизить множитель QPI и увеличить напряжение, подаваемое на L3-кэш (пресловутый Uncore). Старшие Clarkdale, как правило, могут завести оверклокерскую память на частотах около 2000 МГц, что не так уж и плохо. Другое дело, что прирост быстродействия системы от увеличения скорости работы плашек будет совсем уж мизерным. Что касается максимального множителя для памяти, то он зависит от конкретной модели процессора: для «пентиумов» он равен 8х, а у Core i5-6хх и Core i3 — 10х. Кроме того, существует еще Core i5-655K, созданный специально для разгона, — он поддерживает множитель 16х, но лишь немногие материнские платы знают о его возможностях. AMD Phenom II/Athlon II Последние несколько лет Intel активно экспериментирует с архитектурами своих процессоров, а вот AMD куда более консервативна. В последние годы каждая новая процессорная архитектура от Intel привносит какие-то новые особенности, связанные с разгоном. С AMD все иначе — алгоритм раскочегаривания этих кристаллов уже давно практически не претерпевает изменений. Вероятно, что вместе с выходом процессоров Llano, оснащенных встроенным графическим ядром, этой стабильности придет конец, ну а пока что мы рассмотрим, каким образом разгоняется память, работающая в тандеме с нынешними решениями AMD — Phenom II и Athlon II. В качестве опорной частоты для памяти в данном случае выступает частота системной шины (HT Clock по терминологии AMD), которая по умолчанию равна 200 МГц. Изменение этого параметра сказывается на режиме работы процессора, контроллера памяти (этот блок обычно обозначается как CPU NB) и шины HyperTransport Link. По этой причине в поисках частотного потолка вашего ОЗУ следует понизить множители для процессора и HT Link, а вот контроллер памяти, напротив, глушить не стоит. Его частота должна быть по крайней мере в три раза выше, чем реальная частота памяти (и, соответственно, в полтора раза выше, чем частота эффективная), иначе стабильность системы не гарантируется. Вместе с тем чем быстрее работает контроллер, то тем больше шансов выдавить из модулей памяти лишние мегагерцы или понизить их тайминги. Можно даже слегка задрать напряжение CPU NB, чтобы достичь лучшего результата, но сильно увлекаться не стоит. Следует отметить, что на платформах AMD память разгоняется хуже, чем на платформах Intel и, как правило, отметку в 2000 МГц оверклокерам покорить не удается. Таким образом, покупать для такой системы сверхбыстрые планки DDR3 нет особого смысла. Учтите, что режимы работы до DDR3-1600 МГц включительно можно активировать изменением множителя, однако при дальнейшем разгоне в любом случае придется мучить тактовый генератор. Как видно, изменять опорную частоту при более-менее серьезном разгоне памяти приходится практически всегда (а если бы на свете не существовало Sandy Bridge, это высказывание было бы еще более категоричным). Да, порою серьезных частот можно достичь посредством одних лишь множителей, однако шаг между доступными для активации значениями частоты в этом случае оказывается слишком велик, поэтому для более точного нахождения частотного потолка все равно приходится шаманить с тактовым генератором. Ну а это, как известно, приводит к изменению частоты процессора. Мораль такова: если уж заниматься разгоном памяти серьезно, то параллельно стоит разгонять и процессор. В самом деле, зачем выжимать все соки из плашек и одновременно пытаться сдерживать рабочую частоту процессора, если даже незначительный разгон ЦП даст куда больший эффект, чем все опыты над памятью? Таким образом, прежде чем браться за разгон памяти, будет неплохо узнать, какие частоты способен покорить ваш процессор. Ну а после придется искать баланс между скоростью работы кристалла и частотой/таймингами оперативки, ведь обычно выставить максимально привлекательные значения обоих компонентов разом не получается. Сложно? Что ж, никто не мешает вам просто слегка подкрутить тайминги или увеличить множитель памяти, а после наслаждаться свалившимся из ниоткуда быстродействием, не углубляясь в дальнейший разгон компьютера. Не хотите раскрывать весь потенциал системы — не надо. Ну а господам энтузиастам мы желаем удачи в этом нелегком, но интересном деле. Источник Разгоняем DDR3 Сравнение четырех комплектов памяти для разгона. За пять лет эволюции DDR3-памяти вышло уже несколько поколений продуктов, нацеленных на энтузиастов, стремящихся добиться максимальной производительности. Перед тем как приступать к рассмотрению возможностей современных модулей, давайте вспомним, как происходила эта эволюция. Чтобы было понятно, о чем речь, приведем базовые понятия. • Частота работы памяти. Измеряется количеством тактов в секунду. Это основная характеристика, определяющая пропускную способность памяти. • Тайминги. Проще говоря, это задержки, необходимые для выполнения той или иной операции. Формула основных таймингов выглядит как CL-tRCD-tRP-tRAS-Command Rate, где CL (Cas Latency) – минимальное количество тактов между подачей команды на чтение данных и непосредственно началом чтения данных. Если рассмотреть память как двумерный массив, то tRCD (RAS to CAS delay) – это минимальное количество тактов между подачей сигнала на выбор строки и сигнала на выбор столбца. tRP (Row Precharge) — минимальное время закрытия строки, после чего можно активировать новую строку банка. tRAS (Row Active Time) — минимальное время активности строки. Command Rate — минимальное время между подачей двух команд. Чем выше частота работа памяти и чем ниже значения таймингов, тем производительнее память. Также стоит понять, что задержки измеряются в количестве необходимых для операции тактов, а частота работы есть не что иное, как количество тактов в секунду, т. е. при росте частоты временные значения таймингов уменьшаются. Именно поэтому повышение частоты сопряжено с необходимостью увеличивать значения таймингов. А теперь о том, какие микросхемы были наиболее популярны в различные временные отрезки. 1. Изначально в продаже появилась память DDR3 на базе микросхем плотностью 512 Мбит, что давало объем 512 Мбайт для односторонних и 1 Гбайт для двусторонних модулей. Это было в 2008 г., и в основном энтузиасты ценили память на базе микросхем Micron D9GTR. Главное, что их отличало, – возможность работать с таймингами вида 6-5-5 при частотах вплоть до 1800 МГц или 7-6-6 при частотах вплоть до 2 ГГц. Кроме того, к особенностям можно отнести линейную зависимость результатов разгона от используемых напряжений, которые поднимались вплоть до значений 2,2—2,3 В. Данные микросхемы отошли на второй план с появлением платформы LGA 1156, где высокие напряжения питания памяти были критичными и могли приводить к деградации процессоров. 2. В конце 2009 г. начали массово появляться модули памяти на базе микросхем с плотностью в 1 Мбит, что позволило удвоить емкость модулей. Здесь пальму первенства перехватили микросхемы производства Elpida, а именно, Elpida MNH-E Hyper. Данные микросхемы позволили работать с частотами вплоть до 2200 МГц при агрессивных таймингах (вплоть до 7-8-7) и сравнительно небольших напряжениях. Интересно, что почти сразу после начала выпуска микросхем MNH-E массово появились случаи деградации памяти и ее выхода из строя. Эта проблема была разрешена выпуском обновленной версии микросхем, которую назвали MGH-E. Дальнейший прогресс и снижение цен на память сделали популярными микросхемы «с неровными» сочетаниями таймингов, в основном, требующие завышения значения TRCD на две-три единицы относительно CAS и TRP. Здесь отличились Elpida BDBG и Elpida BBSE, а также несколько поколений микросхем Powerchip. Особенностью данной памяти является возможность работать на частотах 2200—2400 МГц при низких напряжениях и не слишком высоких таймингах. При этом прогресс не стоит на месте, и если раньше 2200 МГц достигались при таймингах вида 8-10-8 или 8-11-8, то сейчас особенно удачные модули могут обеспечивать и 2300—2400 МГц при 7-10-7/7-11-7. Данная память популярна и по сей день, микросхемы Powerchip и Elpida BBSE до сих пор являются основой всех «оверклокерских» двусторонних модулей объемом 2 Гбайт. Следует отметить, что с выходом процессоров Intel Sandy Bridge из-за плохой совместимости вышла из моды память на базе MGH-E. 3. 2011 г. ознаменовался началом массового выпуска памяти на базе микросхем плотностью 2 Мбит. Наиболее популярными стали модули, имеющие объем 4 Гбайт. Здесь выбор микросхем невелик, наиболее распространенной стала продукция производства Samsung и Hynix. В способностях использовать агрессивные значения таймингов данная память уступает микросхемам плотностью 1 Мбит, но превосходит их в умении работать на высоких частотах. Кроме того, особенностью этой памяти является работоспособность при низких напряжениях. В общем, микросхемы Samsung предпочтительнее в диапазоне частот до 2400 МГц, в то время как на микросхемах Hynix уже встречается память, штатно функционирующая на частоте 2800 МГц. Один из таких комплектов даже будет участвовать в данном тестировании. А еще среди модулей объемом 4 Гбайт следует отметить микросхемы Micron D9PFJ, способные разгоняться на уровне старых D9GTR. Причем для хорошего разгона требуется напряжение питания около 2 В. Также данная память независимо от таймингов «упирается» в частоту 2150—2200 МГц. В настоящее время начинают появляться микросхемы плотностью 4 Мбит, однако они пока не отличаются высоким частотным потенциалом. В нашем тестировании будут участвовать четыре современных комплекта высокочастотной памяти, а именно два 2-Гбайт Kingmax Hercules Nano DDR3-2400 на базе микросхем Powerchip, два 4-Гбайт G.Skill Trident X DDR3-2400, два 4-Гбайт Corsair Dominator GT DDR3-2133 на основе микросхем Samsung и два 2-Гбайт Kingston HyperX DDR3-2800, построенных на микросхемах Hynix. Тестовый стенд и методика тестирования Для изучения частотного потенциала были выбраны платформа AM3+, системная плата Asus M5A99X Evo и процессор AMD FX-8150. Как выяснилось в процессе тестирования, максимальная частота работы памяти, доступная связке «системная плата — процессор», оказалась на уровне 2637 МГц. Это недотягивает до максимальных способностей комплекта Kingston, но все же перекрывает весь диапазон «потребительских» частот, достижимых с процессорами, не подвергающимися селекции. Проверка частотного потенциала производилась для трех значений напряжения питания: 1,5 В – стандартное значение напряжения питания памяти, установленное спецификациями JEDEC; 1,65 В – значение напряжения большинства «оверклокерских» комплектов памяти; и 1,8 В – значение, близкое к предельно допустимому для современной памяти типа DDR3. В качестве теста стабильности был применен Prime95 в режиме Blend, наиболее быстро выявляющий нестабильность в работе ОЗУ. Проверка на стабильность производилась в течение 5—10 мин. Kingmax FLLE85F-B8KJ9A FEIS Данный комплект не имеет радиаторов системы охлаждения, однако, по заверениям Kingmax, на микросхемах используется специальное напыление, существенно улучшающее отвод тепла. Верить производителю или нет, вопрос спорный. На мой взгляд, достаточно одного факта – на модулях имеются наклейки с характеристиками, которые перекрывают сразу по три микросхемы. Следовательно, тепло от них не отводится вовсе. Однако микросхемы Powerchip горячим нравом не отличаются, и если не «жарить» их напряжениями 1,8 В+, то и проблем возникать не должно. Упрощенно, многие считают оптимальной формулу таймингов вида X (X+3) X, т. е. когда CL=TRP, а значение TRCD завышено на три единицы. На самом же деле, проблема разгона Powerchip кроется не в наличии оптимальных или неоптимальных формул таймингов, а в различном частотном потенциале памяти для каждого из них. К примеру, зависимость CL от напряжения в диапазоне от 1,5 до 1,8—1,85 будет линейная, и удачные модули характеризуются значением частоты 1400 МГц/В для CL7, т. е. от приблизительно 2100 МГц при 1,5 В до примерно 2500 МГц при 1,8 В. Частотный потенциал по TRCD с ростом напряжения обычно изменяется не так сильно, как в случае с CL, и для разных частот нужны разные значения. Так, для CL равного 9 в зависимости от удачливости комплекта доступны частоты 1950—2100 МГц, для 10 — частоты 2200—2350 МГц и для 11 — частоты 2400—2600 МГц. А если разгон упирается в CL или TRCD, то наблюдается минимальная разница между частотой стабильной работы и максимальной «скриншотной» частотой. Особняком стоит тайминг TRP, который на удачных комплектах можно держать на одинаковом с CL значении вплоть до частот 2600 МГц+. В случае же с неудачными модулями TRP приходится завышать на одну или даже две единицы. Если же разгон ограничивается значением TRP, то появляется очень большая разница между значением «скриншотной» частоты и частоты полностью стабильной работы, иногда достигающая даже 500 МГц. Как видно на графике, в комплект Kingmax попали не слишком удачные микросхемы, иначе говоря, просто не повезло. Если оценивать разгон по CL, то показатели в целом неплохие, ведь в итоге с CL7 удалось достичь частоты работы памяти 2360 МГц. В то же время комплект оказался неудачным по значению TRCD и еще более неудачным по значению TRP, что показали результаты при таймингах вида 7-10-8, 7-11-8 и 7-11-9. Интересно отметить, что при таймингах вида 7-11-7 и напряжении питания 1,65 В частота стабильной работы составляет всего 1967 МГц, в то время как Windows можно загрузить и при частоте работы памяти 2400 МГц. Реакция на недостаточное значение TRP проявляется в полной мере. Также показателен режим 7-10-8, демонстрирующий, что память не любит высоких напряжений, когда разгон ограничивается значением TRCD. При «родных» для комплекта таймингах 9-11-9 видно, что частотный потенциал памяти падает при росте напряжения свыше 1,65 В, что свидетельствует о слишком низком значении TRCD. К слову, свои штатные 2400 МГц память способна взять при напряжении питания 1,65 В, но не сможет при напряжении питания 1,7 В, штатном для модулей. Следовательно, при установках согласно штатным характеристикам память нестабильна. Интересно, что разгон модулей при таймингах 8-11-9 и 7-11-9 совпадает, и от CL8 есть хоть какая-то польза лишь при таймингах 8-12-10. Также минимален прирост частоты при переходе на CL9/CL10/CL11, а максимальной достигнутой частотой является 2480 МГц. Kingston KHX2800C12D3T1K2/4GX Эта память оснащена высокими радиаторами, и хотя микросхемы расположены лишь с одной стороны модуля, они закрывают модуль с обеих сторон. Если учитывать холодный характер современной памяти, то такие радиаторы представляют собой, скорее, декоративное решение, способное привести к проблемам совместимости с крупными процессорными охладителями. Используются микросхемы производства Hynix, которые, в отличие от Powerchip, ведут себя куда более предсказуемо и логично. Для наиболее полного раскрытия частотного потенциала памяти на микросхемах Hynix используется формула таймингов вида X (X+2) (X+1), т. е. когда TRCD завышен относительно CL на две единицы, а TRP — на одну. Кроме того, одной из особенностей памяти, основанной на микросхемах Hynix, является слабый отклик на увеличение напряжения питания свыше 1,65 В. Результаты разгона для микросхем Hynix неплохие, комплект относительно удачный. Об этом свидетельствует возможность работать при таймингах 9-11-10 на частотах вплоть до 2312 МГц. При таймингах вида 12-14-13 и выше ограничивает разгон связка «процессор — системная плата». G.Skill F3-2400C10D-8GTX Как и в случае с модулями Kingston, комплект G.Skill, несмотря на низкое тепловыделение микросхем, оснащен высокими радиаторами. Используются микросхемы Samsung, максимально предсказуемые при разгоне, как и в случае с Hynix. Они имеют оптимальные формулы таймингов. Но, в отличие от Hynix, для микросхем Samsung используется две различные формулы таймингов: X (X+1) (X+1), оптимальные при низких напряжениях, и X (X+2) (X+2), оптимальные при высоких. Как видно из графика, в диапазоне частот 2000—2500 МГц более предпочтительна память на базе микросхем компании Samsung, нежели на микросхемах Hynix, поскольку она позволяет достигать тех же частот при меньших значениях таймингов, особенно если рассматривать режимы работы с низкими напряжениями. А вот после 2500 МГц память на микросхемах Samsung уже не слишком хороша. Дальнейшее увеличение таймингов не привело бы к значительному росту частотного потенциала, даже если бы разгон не сдерживался используемой платформой. Помимо того, следует отметить наличие запаса по частоте, превышающего 100 МГц, при использовании штатных характеристик (10-12-12, 1,65 В), что является редкостью для «оверклокерской» памяти. Corsair CMT8GX3M2B2133C9 Если у Kingston и G.Skill все же имеются высокие радиаторы, то в Corsair пошли еще дальше, обеспечив модули памяти активным охлаждением с омощью . Понятно, что пользы от этого никакой (особенно с учетом штатного напряжения памяти в 1,5 В), зато внешний вид модулей самый грозный. К слову, о внешнем виде. На этикетке с характеристиками указана формула таймингов 9-11-9, хотя в XMP-профиле написана формула 9-11-10. Разумеется, при 2133 МГц и 9-11-9 память даже не стартует. Как и в случае с комплектом G.Skill, используются микросхемы Samsung, так что от модулей можно ожидать схожего поведения. Данный комплект чуть более удачный, чем G.Skill, хотя с увеличением напряжений и таймингов разница все же стирается. Основное превосходство комплекта Corsair проявляется при таймингах 8-9-9 и 8-10-10. Кстати, частотный потенциал памяти при штатных таймингах (9-11-10) совпадает с потенциалом памяти при 9-10-10. Следовательно запас по частоте со штатными характеристиками превышает 100 МГц. Тестирование производительности Для исследования производительности мы использовали следующие тесты: wPrime 1.55 (режимы 32M и 1024М), Super Pi 1.5 (режим 1M), WinRar (встроенный тест производительности), 7-Zip (встроенный тест производительности), Cinebench R10 (тест CPU), Cinebench R11.5 (тест CPU) и тесты памяти из программного комплекса Aida64. Базовые настройки системы: частота работы процессора — 4503 МГц (19×237), контроллера памяти — 2607 МГц. Тестирование производилось для частот работы памяти 2528, 2212 и 1896 МГц при минимально доступных для каждого из комплектов памяти таймингах. Показатели комплектов Corsair и G.Skill объединены, ибо результаты их разгона практически идентичны. Память Kingmax тестировалась только при частотах 2212 и 1896 МГц, поскольку работать при частоте 2528 МГц не способна. По результатам измерений производительности прежде всего выделяется комплект Kingmax. Несмотря на свое невезение с одним конкретным модулем, он лидирует в большинстве тестов. Память на базе микросхем Samsung и Hynix показала приблизительно одинаковые результаты. Однако следует отметить провал комплекта Kingston в тесте производительности WinRar. Это, скорее всего, было обусловлено односторонней компоновкой модулей с восемью микросхемами, а не с шестнадцатью, как у всех остальных участников тестирования. Источник Как разогнать оперативную память Многие ошибочно считают, что для увеличения производительности компьютера надо гнать в первую очередь процессор и чем выше разгон, тем лучший прирост в FPS. Хотя отчасти это правда и частота очень сильно влияет на производительность вашего компьютера, многое зависит также от скорости оперативной памяти, а также от частоты видеоядра и его памяти. О том, как разогнать видеокарту, мы уже рассказывали в отдельной статье. Теперь пришло время уделить внимание частоте оперативной памяти. Грамотный разгон вашей RAM позволит существенно повысить производительность. Прелесть разгона RAM также в том, что, в отличие от разгона видеокарты или процессора, более высокие частоты и вольтаж памяти не приводят к выделению очень большого количества тепла. Да, память все равно греется, но это тепловыделение не идет ни в какое сравнение с тепловыделением разогнанного процессора или видеокарты. Даже если в вашем компьютере установлена очень быстрая память (к примеру, вы купили плашки DDR4-3200), но вы не увеличивали ее частоту, она все равно будет работать на стоковой частоте в районе 2133 МГц. Это значит, что даже самая крутая память по умолчанию работает на минимальной для DDR4-стандарта частоте (для DDR3 этот показатель равен 1333 МГц, а более старые варианты мы уже не рассматриваем). Именно поэтому важно гнать память. Попросту говоря, ваши деньги зря простаивают, если крутая память работает чуть ли не в половину своих способностей. Если же у вас более скромная память и ее стоковые частоты не впечатляют своими характеристиками, ее все равно можно и нужно гнать, поскольку подавляющее большинство плашек способно работать на частотах выше заявленных, а это равно бесплатному увеличению производительности. Также надо понимать, что производительность отдельных процессоров напрямую зависит от скорости оперативной памяти. К примеру, первое поколение семейства AMD Ryzen демонстрировало существенный прирост вычислительной мощности, когда используется разогнанная память. Если ваш CPU не столь чувствителен к частотам памяти, более высокая частота все равно никогда не будет лишней. Разгон оперативной памяти компьютера Прежде чем переходить непосредственно к пыткам вашей памяти и материнской платы, надо обратить внимание на несколько нюансов. От них зависит, сможете ли вы в принципе разогнать свою оперативную память и какой от этого будет прирост. Проверить, в каком режиме сейчас работает ваша память, можно в BIOS или при помощи небольшой утилиты CPU-Z. Скачайте ее на официальном сайте и запустите. Перейдите на вкладку Memory. Здесь будет отображаться стандарт, объем памяти, канал (одноканальный / двухканальный / четырехканальный), частота северного моста, частота памяти и тайминги. CPU-Z удобна тем, что позволяет сразу узнать все характеристики памяти и не блуждать по разделам BIOS. Когда все готово, и вы морально настроили себя на разгон, начинайте процедуру с перезагрузки компьютера и входа в BIOS (если вы не знаете, как зайти в BIOS, лучше прекратить чтение этой статьи прямо сейчас). Разгон памяти – весьма капризный процесс, поскольку вам надо не только поднимать частоту и при необходимости вольтаж, но и «ослаблять» тайминги в особых случаях. Тайминги напрямую влияют на производительность памяти и чем они ниже, тем лучше. При разгоне тайминги надо повышать, если не помогает увеличение вольтажа. При этом минус производительности от этого действия компенсируется увеличенной частотой. Для начала найдите раздел с настройками частоты памяти в вашем BIOS. У каждой материнской платы он может быть подписан по-разному. Эта статья написана на примере платы Gigabyte с UEFI. На остальных платах интерфейсы будут отличаться, но принцип все тот же. Первым делом включите профиль AMP (он также называется XMP). На современных платах включение XMP-профиля позволяет выбрать частоту и тайминги из предустановленного списка, что существенно упрощает процесс разгона. Если у вашей платы есть предустановленные списки частот и таймингов, выбирайте из него тот, что на шаг выше вашей стоковой частоты, затем перезагрузитесь в систему и протестируйте стабильность работы памяти. Для проверки стабильности достаточно открыть браузер или запустить игру, чтобы понять, насколько хорошо работает память. Конечно, можно использовать приложения-бенчмарки, но мы здесь практикуем не научный лабораторный подход, а более доступный для обычного юзера способ. Если тест пройден и система не падает под нагрузкой, пробуйте поднять частоту еще и до тех пор, пока не наткнетесь за сбой в работе. Совет: каждый раз, когда вы находите рабочие частоты и параметры, записывайте их и затем пытайтесь улучшить (понизить вольтаж или понизить тайминги). В этом вам будет полезна та же CPU-Z. Если предустановленных списков частот и таймингов нет, придется гнать вручную (профиль все равно надо включать). Да и ручной разгон зачастую дает лучшие результаты. Пробуйте поднять частоту памяти без изменения таймингов и вольтажа. Просто поднимите частоту на один шаг. К примеру, 1333-1600. На скриншоте вы можете увидеть, что за параметр частоты оперативной памяти отвечает System Memory Multiplier (множитель системной памяти). Сохраните изменения и перезагрузитесь. Проверьте стабильность работы памяти. Если компьютер не хочет загружаться с этими параметрами или во время нагрузки на память падает в синий экран смерти или зависает, вам надо попытаться увеличить вольтаж. Не стоит поднимать вольтаж очень высоко, особенно на плашках без радиаторов охлаждения. Безопасным пределом будет +0.1-0.15 В (да, слишком высокий вольтаж может запросто сжечь вашу память). Настройки вольтажа на нашей плате можно найти в разделе M.I.T – Advanced Voltage Settings – DRAM Voltage. Для DDR3 стандартный вольтаж находится на уровне 1.5 В, а для DDR4 1.2 В. Тайминги очень капризны и рабочие параметры будут зависеть от каждой индивидуальной модели. Если у вас популярная модель памяти, попытайтесь погуглить параметры разгона. Возможно, кто-то из других пользователей смог разогнать вашу память и опубликовал в Интернете значения частоты, вольтажа и таймингов. Это существенно упростит вам процедуру разгона. При разгоне памяти надо понимать, что есть вероятность нулевого разгона, когда память не захочет разгоняться в принципе. Это может случиться в том случае, если вы пытаетесь разогнать очень старую память, выпущенную во времена, когда ее техпроцесс и стандарт еще не были хорошо освоены. С другой стороны, свежая память, выпущенная спустя много ревизий и доработок техпроцесса, обеспечит вас более высокими шансами на разгон. Каждый чип уникален, а потому и разгонный потенциал разный. Если не получилось разогнать память вообще, смиритесь с тем, что вам надо либо купить новую память, поддерживающую более высокие частоты, либо сидеть со стоковой. Когда вы определились с частотами, вольтажом и таймингами, стоит также разогнать контроллер памяти, он же северный мост. Это очень важно сделать, чтобы добиться максимальной отдачи от разгона. Благо, гнать контроллер гораздо проще и все сводится зачастую до указания частоты моста и его вольтажа. Для справки: не на всех процессорах поддерживается разгон моста. К примеру, на Ryzen такой опции нет в принципе. Также не на всех материнских платах есть параметры для разгона частоты и вольтажа северного моста. Если вы не нашли этих параметров, придется удовлетвориться разгоном лишь одной оперативной памяти. В разделе M.I.T. Advanced Frequency Settings за разгон северного моста отвечает параметр NB Clock (Mhz). На моем компьютере стандартная частота составляет 1 800 МГц. Увеличивайте ее на 100-200 МГц. Начинайте гнать без изменения вольтажа. Только частоты. Каждый раз, когда устанавливаете новое значение, перезагружайтесь и проходите тесты на стабильность. Когда удалось найти частоту, при которой стандартного вольтажа уже недостаточно (система может зависнуть или упасть на экране загрузки Windows, к примеру), попытайтесь либо увеличить вольтаж, либо удовлетвориться последней стабильной частотой. Увеличивается вольтаж моста в разделе M.I.T. Advanced Voltage Settings – NB Core. Как и в случае с памятью, увеличивайте значения на десятые доли вольта. Желаем всем частот как можно выше, вольтажа как можно ниже и производительности как можно больше! Источник ← Как разогнать озу Как разогнать оперативную память ddr4 → Вам также понравится заполнение пу3 по договорам подряда 2020 20.03.202303.04.2023 admin 0 когда официально уходят в декретный отпуск 30.04.202306.05.2023 admin 0 какие банки беларуси дают кредит на недвижимость 22.04.202324.04.2023 admin 0 Добавить комментарий Отменить ответ Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены * Комментарий * Имя * Email * Сохранить моё имя, email и адрес сайта в этом браузере для последующих моих комментариев.